This HTML5 document contains 44 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F67985858%3A_____%2F10%3A00356032%21RIV11-AV0-67985858/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n12http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F67985858%3A_____%2F10%3A00356032%21RIV11-AV0-67985858
rdf:type
skos:Concept n14:Vysledek
dcterms:description
The deposits prepared from (Si(CH3)3)3GeH contain nanowires of width of tens of nanometers and the length is up to several microns. Nanowires have a core-rim structure with a variable diameter of the core (10 to 30nm) and thickness of the rim (10 to 50nm). The core is composed of crystalline Ge, whereas the rim is mostly amorphous Si/SiC with occasional crystalline Ge nanoparticles up to 5nm in size. The deposits prepared from Ge2(CH3)6 a (C2H5)SiH3 contain flowerlike aggregates of micrometer-size GeSi platelets and GeSi nanowires. The platelets exhibit different shapes from hexagonal to elongated serrated leaves. They are up to several micrometers in size but have thickness of only about 40nm. The platelets grow perpendicular to direction. However, the electron diffraction patterns show interesting modulations probably caused by Si-Ge ordering. The nanowires are only about 10nm thick. They are single crystals which grow in direction and contain no defects. Vzorky připravené z prekurzoru (Si(CH3)3)3GeH obsahují nanovlákna o průměru desítek nanometrů a délce až několika mikrometrů. Nanovlákna vykazují vnitřní strukturu skládající se z jádra o průměru 10 až 30 nm a obalu o tloušťce 10 až 50 nm. Jádro je tvořeno monokrystalickým germaniem, zatímco amorfní Si/SiC obal obsahuje nanočástice germania o velikosti cca 5 nm. Vzorky připravené z kombinace prekurzorů Ge2(CH3)6 a (C2H5)SiH3 obsahují shluky lístečkovitých krystalů SiGe a SiGe nanovlákna. Tvary lístečkovitých krystalů jsou v průmětu hexagonální, často protažené do listovitých čepelí. Krystaly mají velikost několika mikrometrů, ale jejich tloušťka je pouhých 40 nm. Lístky jsou zploštěny ve podle {111} kubické struktury křemíku. Nanovlákna mají tloušťku kolem 10 nm a délku několik mikrometrů. Jedná se o monokrystaly protažené ve směru , bez jakýchkoli defektů. Vzorky připravené z prekurzoru (Si(CH3)3)3GeH obsahují nanovlákna o průměru desítek nanometrů a délce až několika mikrometrů. Nanovlákna vykazují vnitřní strukturu skládající se z jádra o průměru 10 až 30 nm a obalu o tloušťce 10 až 50 nm. Jádro je tvořeno monokrystalickým germaniem, zatímco amorfní Si/SiC obal obsahuje nanočástice germania o velikosti cca 5 nm. Vzorky připravené z kombinace prekurzorů Ge2(CH3)6 a (C2H5)SiH3 obsahují shluky lístečkovitých krystalů SiGe a SiGe nanovlákna. Tvary lístečkovitých krystalů jsou v průmětu hexagonální, často protažené do listovitých čepelí. Krystaly mají velikost několika mikrometrů, ale jejich tloušťka je pouhých 40 nm. Lístky jsou zploštěny ve podle {111} kubické struktury křemíku. Nanovlákna mají tloušťku kolem 10 nm a délku několik mikrometrů. Jedná se o monokrystaly protažené ve směru , bez jakýchkoli defektů.
dcterms:title
SiGe products prepared by the CVD method from various precursors SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů
skos:prefLabel
SiGe products prepared by the CVD method from various precursors SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů SiGe produkty připravené metodou CDVz různých prekurzorů
skos:notation
RIV/67985858:_____/10:00356032!RIV11-AV0-67985858
n3:aktivita
n11:Z
n3:aktivity
Z(AV0Z10100521), Z(AV0Z40720504)
n3:cisloPeriodika
2a
n3:dodaniDat
n12:2011
n3:domaciTvurceVysledku
n17:2912856
n3:druhVysledku
n4:J
n3:duvernostUdaju
n8:S
n3:entitaPredkladatele
n15:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
287243
n3:idVysledku
RIV/67985858:_____/10:00356032
n3:jazykVysledku
n13:cze
n3:klicovaSlova
nanowires; nanoplatelets; TEM; Ge
n3:klicoveSlovo
n9:nanoplatelets n9:TEM n9:nanowires n9:Ge
n3:kodStatuVydavatele
CZ - Česká republika
n3:kontrolniKodProRIV
[9F85577D3CB2]
n3:nazevZdroje
Materials Structure in Chemistry, Biology, Physics and Technology
n3:obor
n16:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n3:pocetTvurcuVysledku
4
n3:rokUplatneniVysledku
n12:2010
n3:svazekPeriodika
17
n3:tvurceVysledku
Palatinus, Lukáš Dřínek, Vladislav Rieder, M. Klementová, Mariana
n3:zamer
n10:AV0Z40720504 n10:AV0Z10100521
s:issn
1211-5894
s:numberOfPages
2