This HTML5 document contains 51 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F61389005%3A_____%2F04%3A00105579%21RIV%2F2005%2FGA0%2FA49005%2FN/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n8http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F61389005%3A_____%2F04%3A00105579%21RIV%2F2005%2FGA0%2FA49005%2FN
rdf:type
skos:Concept n17:Vysledek
dcterms:description
GaN je širokopásmový (E-g 3,4 eV) polovodič, který je vhodný pro optická zařízení. Trojmocné erbium (Er3+) je účinným luminiscenčním centrem s emisí podobnou atomové při 1540 nm. Typická příprava tenkých GaN vrstev je prováděna chemickou depozicí z plynné fáze nebo epitaxním růstem. Neše vrstvy jsou nanášeny rf magnetronovým naprašováním z galiového terčíku ve směsi argonu a dusíku 7 : 3. Typická tlouštka vrstev je 1 - 2 mikrometru. Pro dopováni erbiem jsou na povrch Ga terčíku umístěny tablety kovového erbia. Účelem je dosáhnout dostatečné koncentrace vhodné pro optickou aktivitu. Složení připravených vrstev je měřeno nukleárními analytickými metodami. Stechiometrie GaN, příměs kyslíku a hloubkový profil erbia do hloubky 600 nm byl sledován pomocí RBS s 2.4 Mev protony a 2.2 MeV alfa částicemi. Příměs vodíku byla sledována metodou ERDA s 2.7 MeV alfa částicemi. Struktura připravených GaN vrstev byla zjišťována pomocí rentgenovské difrakce, Ramanovské spe... GaN is a wide direct band-gap (E-g similar to 3.4 eV) semiconductor which is attractive for optical devices. Trivalent erbium (Er3+) is an efficient luminescent centre with an atom-like emission at 1540 nm. Typical GaN thin films are fabricated by chemical gas-phase deposition or by epitaxy. Our GaN films were deposited by RF magnetron sputtering using gallium targets and a 3:7 nitrogen-argon mixture. The thickness of the deposited samples was typically 1-2 mum. For Er doping, pellets of metallic Er were put on top of the Ga target. The goal of erbium doping is to reach a concentration sufficient for optical activity. The composition of prepared layers was checked by nuclear analytical methods. The GaN stoichiometry, O admixture and Er dopant up to depths of 600 nm was checked by RBS using 2.4 MeV protons and 2.2 MeV alpha particles. The H impurity was checked by ERDA with 2.7 MeV alpha particles. The structure of fabricated GaN films was checked by x-ray diffraction, Raman spectros... GaN is a wide direct band-gap (E-g similar to 3.4 eV) semiconductor which is attractive for optical devices. Trivalent erbium (Er3+) is an efficient luminescent centre with an atom-like emission at 1540 nm. Typical GaN thin films are fabricated by chemical gas-phase deposition or by epitaxy. Our GaN films were deposited by RF magnetron sputtering using gallium targets and a 3:7 nitrogen-argon mixture. The thickness of the deposited samples was typically 1-2 mum. For Er doping, pellets of metallic Er were put on top of the Ga target. The goal of erbium doping is to reach a concentration sufficient for optical activity. The composition of prepared layers was checked by nuclear analytical methods. The GaN stoichiometry, O admixture and Er dopant up to depths of 600 nm was checked by RBS using 2.4 MeV protons and 2.2 MeV alpha particles. The H impurity was checked by ERDA with 2.7 MeV alpha particles. The structure of fabricated GaN films was checked by x-ray diffraction, Raman spectros...
dcterms:title
Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium Vlastnosti RF magnetronově naprášených galium-nitridových polovodičů
skos:prefLabel
Vlastnosti RF magnetronově naprášených galium-nitridových polovodičů Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium Properties of RF magnetron sputtered gallium nitride semiconductors doped with erbium
skos:notation
RIV/61389005:_____/04:00105579!RIV/2005/GA0/A49005/N
n4:strany
952;954
n4:aktivita
n12:Z n12:P
n4:aktivity
P(GA104/03/0385), P(GA104/03/0387), Z(AV0Z1048901)
n4:cisloPeriodika
8
n4:dodaniDat
n8:2005
n4:domaciTvurceVysledku
n11:5985498 n11:8841152 n11:9699414
n4:druhVysledku
n15:J
n4:duvernostUdaju
n6:S
n4:entitaPredkladatele
n7:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
582774
n4:idVysledku
RIV/61389005:_____/04:00105579
n4:jazykVysledku
n16:eng
n4:klicovaSlova
Er-doped GaN;luminescence;magnetron sputtering
n4:klicoveSlovo
n10:Er-doped%20GaN n10:magnetron%20sputtering n10:luminescence
n4:kodStatuVydavatele
GB - Spojené království Velké Británie a Severního Irska
n4:kontrolniKodProRIV
[5E54D87FE0B1]
n4:nazevZdroje
Surface and Interface Analysis
n4:obor
n13:BG
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
3
n4:pocetTvurcuVysledku
7
n4:projekt
n14:GA104%2F03%2F0387 n14:GA104%2F03%2F0385
n4:rokUplatneniVysledku
n8:2004
n4:svazekPeriodika
36
n4:tvurceVysledku
Matějka, P. Macková, Anna Prajzler, V. Peřina, Vratislav Machovič, V. Hnatowicz, Vladimír Schröfel, J.
n4:zamer
n18:AV0Z1048901
s:issn
0142-2421
s:numberOfPages
3