This HTML5 document contains 59 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n23http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n18http://localhost/temp/predkladatel/
n10http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
n8https://schema.org/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
n22http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F60461373%3A22310%2F12%3A43894209%21RIV13-GA0-22310___/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n21http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F60461373%3A22310%2F12%3A43894209%21RIV13-GA0-22310___
rdf:type
skos:Concept n11:Vysledek
dcterms:description
V tomto příspěvku se zabýváme růstem vrstev Ga1-xMnxN metodou MOVPE. Manganem dopované vrstvy jsme nechávali růst na safírových substrátech v křemenném reaktoru. Jako prekurzor manganu pro depozici vrstev Ga1-xMnxN byl použit (MCp)2Mn. Jeho průtok byl udržován v rozmezí 0,2 - 3,2 mýmol?min-1. Samotná depozice probíhala při tlaku 200 mbar, teplotě 1050 °C a molárním poměru V/III 1360. Pro přípravu kvalitních Mn dopovaných vrstev bylo potřeba nejprve nechat narůst spojitou nízkoteplotní mezivrstvu nedopovaného GaN. Depozice vrstev Ga1-xMnxN na mezivrstvě GaN, na které nedošlo k úplnému přechodu na dvourozměrný růst, vedla k trojrozměrnému růstu během celého depozičního procesu. Rovněž jsme se zabývali vlivem dusíku v nosném plynu na vlastnosti vrstev. Množství dusíku zásadně ovlivnilo koncentraci Mn. Vrstvy byly charakterizovány z hlediska složení, povrchové morfologie a magnetických vlastností. Na připravených vrstvách byl pozorován téměř konstantní feromagnetický moment přetrvávající až do pokojové teploty. V tomto příspěvku se zabýváme růstem vrstev Ga1-xMnxN metodou MOVPE. Manganem dopované vrstvy jsme nechávali růst na safírových substrátech v křemenném reaktoru. Jako prekurzor manganu pro depozici vrstev Ga1-xMnxN byl použit (MCp)2Mn. Jeho průtok byl udržován v rozmezí 0,2 - 3,2 mýmol?min-1. Samotná depozice probíhala při tlaku 200 mbar, teplotě 1050 °C a molárním poměru V/III 1360. Pro přípravu kvalitních Mn dopovaných vrstev bylo potřeba nejprve nechat narůst spojitou nízkoteplotní mezivrstvu nedopovaného GaN. Depozice vrstev Ga1-xMnxN na mezivrstvě GaN, na které nedošlo k úplnému přechodu na dvourozměrný růst, vedla k trojrozměrnému růstu během celého depozičního procesu. Rovněž jsme se zabývali vlivem dusíku v nosném plynu na vlastnosti vrstev. Množství dusíku zásadně ovlivnilo koncentraci Mn. Vrstvy byly charakterizovány z hlediska složení, povrchové morfologie a magnetických vlastností. Na připravených vrstvách byl pozorován téměř konstantní feromagnetický moment přetrvávající až do pokojové teploty. This contribution deals with growth of layers of Ga1-xMnxN by the MOVPE method. The layers were gron on sapphire substrate in silicon reactor.
dcterms:title
Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE Preparation and characterization of GaN layers doped with manganese prepared by MOVPE Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE
skos:prefLabel
Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE Příprava a charakterizace vrstev GaN dopovaných manganem metodou MOVPE Preparation and characterization of GaN layers doped with manganese prepared by MOVPE
skos:notation
RIV/60461373:22310/12:43894209!RIV13-GA0-22310___
n11:predkladatel
n12:orjk%3A22310
n3:aktivita
n17:S n17:P n17:Z
n3:aktivity
P(GA104/09/0621), P(GA106/09/0125), S, Z(MSM6046137302)
n3:dodaniDat
n21:2013
n3:domaciTvurceVysledku
n9:3148262 n9:3532569 n9:6541690 n9:1924613 n9:5250226 n9:6562108
n3:druhVysledku
n14:D
n3:duvernostUdaju
n20:S
n3:entitaPredkladatele
n22:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
161806
n3:idVysledku
RIV/60461373:22310/12:43894209
n3:jazykVysledku
n7:cze
n3:klicovaSlova
doping; GaN, thin layers; MOVPE
n3:klicoveSlovo
n4:thin%20layers n4:MOVPE n4:doping n4:GaN
n3:kontrolniKodProRIV
[54B1B0F31AF6]
n3:mistoKonaniAkce
Kouty nad Desnou
n3:mistoVydani
Praha
n3:nazevZdroje
Sborník 21. konference Aprochem 2012
n3:obor
n19:CA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
6
n3:pocetTvurcuVysledku
7
n3:projekt
n5:GA104%2F09%2F0621 n5:GA106%2F09%2F0125
n3:rokUplatneniVysledku
n21:2012
n3:tvurceVysledku
Sedmidubský, David Huber, Štěpán Sofer, Zdeněk Jankovský, Ondřej Šimek, Petr Šaněk, Filip Mikulics, M.
n3:typAkce
n23:CST
n3:zahajeniAkce
2012-04-23+02:00
n3:zamer
n15:MSM6046137302
s:numberOfPages
5
n10:hasPublisher
PCHE - PetroCHemEng, Praha
n8:isbn
978-80-02-02376-0
n18:organizacniJednotka
22310