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Namespace Prefixes

PrefixIRI
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n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
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n17http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00015142%21RIV06-MSM-22310___
rdf:type
n14:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Vliv N2 jako nosného plynu na růst GaN v konfiguraci inverzního vstupu Influence of N2 on GaN growth in inverse inlet configuration In der Literatur wird N\_2 als Trägergas u.a. nachgesagt die Morphologie und die strukturellen Eigenschaften des GaN zu verschlechtern. Für die Anwendung in High Electron Mobility Transistoren bedarf es aber Oberflächen mit geringer Rauhigkeit und ausgezeichneter struktureller Qualität. In diesem Beitrag wurde der Einfluss von N\_2 auf das Wachstum und die Schichteigenschaften systematisch untersucht. In einem AIX 200/4 RF-S Reaktor wurden Versuche bei verschiedenen Trägergasmischungen von H\_2 und N\_2 in der Hochtemperaturphase durchgeführt. Nukleation und Rekristallisation fanden in reiner Wasserstoffatmosphäre statt. Dabei musste sowohl der Gesamtfluss auf das Trägergasgemisch hin optimiert, als auch das Flussverhältnis und das V/III Verhältnis in der Gasphase variiert werden.Es wird gezeigt, dass sich trotz großer Mengen N\_2 im Trägergas Schichten hoher Qualität abscheiden lassen.
dcterms:title
Vliv N2 jako nosného plynu na růst GaN v konfiguraci inverzního vstupu Influence of N2 on GaN growth in inverse inlet configuration Přednáška: Einfluss von N2 als Trägergas für GaN Wachstum im invertierten Einlass
skos:prefLabel
Influence of N2 on GaN growth in inverse inlet configuration Přednáška: Einfluss von N2 als Trägergas für GaN Wachstum im invertierten Einlass Vliv N2 jako nosného plynu na růst GaN v konfiguraci inverzního vstupu
skos:notation
RIV/60461373:22310/05:00015142!RIV06-MSM-22310___
n3:aktivita
n13:P n13:Z
n3:aktivity
P(GA104/03/0387), Z(MSM6046137302)
n3:dodaniDat
n17:2006
n3:domaciTvurceVysledku
n15:3148262
n3:druhVysledku
n12:O
n3:duvernostUdaju
n16:S
n3:entitaPredkladatele
n4:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
537836
n3:idVysledku
RIV/60461373:22310/05:00015142
n3:jazykVysledku
n8:ger
n3:klicovaSlova
Influence of N2 on GaN growth in inverse inlet configuration
n3:klicoveSlovo
n18:Influence%20of%20N2%20on%20GaN%20growth%20in%20inverse%20inlet%20configuration
n3:kontrolniKodProRIV
[F043EDF88CAF]
n3:obor
n7:CA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n3:pocetTvurcuVysledku
7
n3:projekt
n11:GA104%2F03%2F0387
n3:rokUplatneniVysledku
n17:2005
n3:tvurceVysledku
Hardtdegen, Hilde Sofer, Zdeněk Cho, Yong Suk Ahe, Martina von der Kaluza, Nicoleta Steins, Roger Thillosen, Nicolas
n3:zamer
n6:MSM6046137302
n10:organizacniJednotka
22310