This HTML5 document contains 54 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n6http://localhost/temp/predkladatel/
n19http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00013611%21RIV06-MSM-22310___/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n8http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F60461373%3A22310%2F05%3A00013611%21RIV06-MSM-22310___
rdf:type
skos:Concept n17:Vysledek
dcterms:description
In this paper we will first report on the real-time determination of wafer temperature during growth for transparent substrates. With this method we will then study the unintentional influence of growth parameter variations on the surface temperature. The effect on nitride growth optimization will be discussed. In this paper we will first report on the real-time determination of wafer temperature during growth for transparent substrates. With this method we will then study the unintentional influence of growth parameter variations on the surface temperature. The effect on nitride growth optimization will be discussed. Využití určení teploty substrátu ke studiu náhodných parametrů ovlivňujících MOVPE růst nitridů třetí podskupiny.
dcterms:title
Use of wafer temperature determination for the study of unintentional parameter influences for the MOVPE of III-nitrides Use of wafer temperature determination for the study of unintentional parameter influences for the MOVPE of III-nitrides Využití určení teploty substrátu ke studiu náhodných parametrů ovlivňujících MOVPE růst nitridů třetí podskupiny
skos:prefLabel
Využití určení teploty substrátu ke studiu náhodných parametrů ovlivňujících MOVPE růst nitridů třetí podskupiny Use of wafer temperature determination for the study of unintentional parameter influences for the MOVPE of III-nitrides Use of wafer temperature determination for the study of unintentional parameter influences for the MOVPE of III-nitrides
skos:notation
RIV/60461373:22310/05:00013611!RIV06-MSM-22310___
n3:strany
2581
n3:aktivita
n18:P n18:Z
n3:aktivity
P(GA104/03/0387), Z(MSM6046137302)
n3:cisloPeriodika
13
n3:dodaniDat
n8:2006
n3:domaciTvurceVysledku
n19:3148262
n3:druhVysledku
n16:J
n3:duvernostUdaju
n4:S
n3:entitaPredkladatele
n12:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
548123
n3:idVysledku
RIV/60461373:22310/05:00013611
n3:jazykVysledku
n14:eng
n3:klicovaSlova
Growth; III-Nitride; GaN; Galium nitride; MOVPE; True Surface Temperature; Pyrometry; Emissivity
n3:klicoveSlovo
n9:Galium%20nitride n9:True%20Surface%20Temperature n9:Growth n9:GaN n9:Pyrometry n9:MOVPE n9:III-Nitride n9:Emissivity
n3:kodStatuVydavatele
DE - Spolková republika Německo
n3:kontrolniKodProRIV
[9C667D179C31]
n3:nazevZdroje
Physica Status Solidi (b)
n3:obor
n13:CA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n3:pocetTvurcuVysledku
8
n3:projekt
n15:GA104%2F03%2F0387
n3:rokUplatneniVysledku
n8:2005
n3:tvurceVysledku
Zorn, Michael Cho, Yong Suk Zettler, J. T. Steins, Roger Hardtdegen, Hilde Kaluza, Nicoleta Haberland, Karl Sofer, Zdeněk
n3:zamer
n7:MSM6046137302
s:issn
0370-1972
s:numberOfPages
6
n6:organizacniJednotka
22310