This HTML5 document contains 45 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n8http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n3http://localhost/temp/predkladatel/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F60461373%3A22310%2F03%3A00008281%21RIV%2F2004%2FGA0%2F223104%2FN/
n14https://schema.org/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n17http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F60461373%3A22310%2F03%3A00008281%21RIV%2F2004%2FGA0%2F223104%2FN
rdf:type
skos:Concept n18:Vysledek
dcterms:description
AIIIN nitrides and their solid solution are promising materials for advanced optoelectronic and microelectronic devices such as light emitting diodes, lasers, detectors and high-temperature and high-power microwave devices. A conventional horizontal type MOVPE reactor was constructed and is described. Some structural and optical properties of GaN thin layers are presented. Na pracovišti VŠCHT Praha bylo vybudováno pracoviště pro přípravu epitaxních vrstev nitridů 13. skupiny technologií MOVPE. Zařízení umožňuje přípravu binárních nitridů a jejich ternárních a kvaternárních substitučních roztoků. Zdrojem prvků 13. skupiny jsou organokovové sloučeniny (trimethylgallium, trimethylaluminium), zdrojem dusíku je vysoce čistý amoniak. Safírové podložky jsou uistěny na molybdenovém substrátě, který je vyhříván indukčním ohřevem. Práce jsou směrovány především na přípavu epitaxních vrstev GaN a jejich charakterizaci.
dcterms:title
Příprava a vlastnosti tenkých vrstev nitridu gallitého pro aplikace v elektronice Preparation and property of GaN thin layers as materials for electronics Příprava a vlastnosti tenkých vrstev nitridu gallitého pro aplikace v elektronice
skos:prefLabel
Preparation and property of GaN thin layers as materials for electronics Příprava a vlastnosti tenkých vrstev nitridu gallitého pro aplikace v elektronice Příprava a vlastnosti tenkých vrstev nitridu gallitého pro aplikace v elektronice
skos:notation
RIV/60461373:22310/03:00008281!RIV/2004/GA0/223104/N
n4:strany
155
n4:aktivita
n16:P
n4:aktivity
P(GA104/03/0387)
n4:dodaniDat
n17:2004
n4:domaciTvurceVysledku
n20:3330095
n4:druhVysledku
n13:D
n4:duvernostUdaju
n5:S
n4:entitaPredkladatele
n9:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
623047
n4:idVysledku
RIV/60461373:22310/03:00008281
n4:jazykVysledku
n12:cze
n4:klicovaSlova
GaN; MOVPE; X-ray diffraction; absorbance
n4:klicoveSlovo
n10:MOVPE n10:X-ray%20diffraction n10:GaN n10:absorbance
n4:kontrolniKodProRIV
[653FC52E2876]
n4:mistoKonaniAkce
Trenčín
n4:mistoVydani
Trenčín
n4:nazevZdroje
Sborník Vrstvy a povlaky 2003
n4:obor
n21:CA
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n4:pocetTvurcuVysledku
1
n4:pocetUcastnikuAkce
0
n4:pocetZahranicnichUcastnikuAkce
0
n4:projekt
n15:GA104%2F03%2F0387
n4:rokUplatneniVysledku
n17:2003
n4:tvurceVysledku
Stejskal, Josef
n4:typAkce
n7:EUR
n4:zahajeniAkce
2003-05-22+02:00
s:numberOfPages
1
n8:hasPublisher
Vrstvy a povlaky 2003
n14:isbn
80-968337-1-5
n3:organizacniJednotka
22310