This HTML5 document contains 65 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/licencniPoplatek/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F49610040%3A_____%2F13%3A*0000104%21RIV14-MPO-49610040/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kategorie/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n7http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F49610040%3A_____%2F13%3A*0000104%21RIV14-MPO-49610040
rdf:type
skos:Concept n13:Vysledek
dcterms:description
The manufacturing procedure of the crystalline silicon solar cell with laser isolated front side PN junction was created. The emitter consist of both side phosphorus diffusion and term “edge isolation” correspond to the process of creation of a groove. The groove is created from the front side and its purpose is an electric separation of the base and the emitter. Byl vytvořen výrobní postup krystalického křemíkového solárního článku s laserovou izolací emitoru. Emitor je tvořen oboustrannou fosforovou difúzí a procesem izolace hrany se rozumí vytvoření rýhy na přední ploše článku (podél hrany), která elektricky oddělí emitor a bázi Byl vytvořen výrobní postup krystalického křemíkového solárního článku s laserovou izolací emitoru. Emitor je tvořen oboustrannou fosforovou difúzí a procesem izolace hrany se rozumí vytvoření rýhy na přední ploše článku (podél hrany), která elektricky oddělí emitor a bázi
dcterms:title
Proven technology process flow of the crystalline silicon solar cell with laser isolated front side PN junction Ověřená technologie procesu výroby solárního článku krystalického křemíku s laserovou izolací předního PN přechodu. Ověřená technologie procesu výroby solárního článku krystalického křemíku s laserovou izolací předního PN přechodu.
skos:prefLabel
Ověřená technologie procesu výroby solárního článku krystalického křemíku s laserovou izolací předního PN přechodu. Ověřená technologie procesu výroby solárního článku krystalického křemíku s laserovou izolací předního PN přechodu. Proven technology process flow of the crystalline silicon solar cell with laser isolated front side PN junction
skos:notation
RIV/49610040:_____/13:*0000104!RIV14-MPO-49610040
n13:predkladatel
n14:ico%3A49610040
n3:aktivita
n16:P
n3:aktivity
P(FR-TI1/305)
n3:dodaniDat
n7:2014
n3:domaciTvurceVysledku
n5:7994265 n5:2935880 n5:6941745 n5:9869808 n5:3494977 n5:3490971 n5:2452642 n5:2581108 n5:2566842
n3:druhVysledku
n15:Z%2FB
n3:duvernostUdaju
n19:C
n3:ekonomickeParametry
Ověřená technologie bude využita realizátorem výsledku při řešení komerčních zakázek na výrobu zákaznických solárních článků a FV modulů. Dále bude technologie využita realizátorem pro vývoj nových pokročilých technologií výroby solárních článků s vysokou konverzní účinností.
n3:entitaPredkladatele
n11:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
94934
n3:idVysledku
RIV/49610040:_____/13:*0000104
n3:interniIdentifikace
1-01-017
n3:jazykVysledku
n10:cze
n3:kategorie
n18:A
n3:klicovaSlova
silicon solar cell; edge isolation; pn junction; laser process
n3:klicoveSlovo
n4:silicon%20solar%20cell n4:edge%20isolation n4:pn%20junction n4:laser%20process
n3:kontrolniKodProRIV
[9A5E7700F124]
n3:licencniPoplatek
n20:Z
n3:obor
n8:JA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
9
n3:pocetTvurcuVysledku
16
n3:projekt
n17:FR-TI1%2F305
n3:rokUplatneniVysledku
n7:2013
n3:technickeParametry
Izolace hrany se nachází v technologickém sledu operací výroby FV článků na samý závěr. Tj. po sintraci tlustovrstvých kovových past. Trajektorie laserové linie je vhodné volit v rozsahu 0,1-0,5 mm od okraje desky s laserovými parametry popsaných v technických zprávách. Výsledek slouží k vlastnímu využití a byla podepsána Smlouva o využití výsledků výzkumu a vývoje 2012/FR-TI1/305, s MPO ze dne. 21.12.2012. Kontaktní osoba: Ing. Renáta Zetková, tel: 601375825, email: renata.zetkova@solartec.cz
n3:tvurceVysledku
Poruba, Aleš Koktavý, Pavel Houdková, Šárka Čech, Pavel Lang, Vladislav Pečiva, Lubomír Bařinka, Radim Šenkýř, Jiří Wostrý, Petr Neděla, Vilém Frantík, Ondřej Martan, Jiří Hladík, Jiří Bařinková, Pavlína Kučera, Martin Franc, Aleš
n3:vlastnik
n11:vlastnikVysledku
n3:vyuzitiJinymSubjektem
n9:P