This HTML5 document contains 50 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n14http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n17https://schema.org/
shttp://schema.org/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F49610040%3A_____%2F05%3A00000311%21RIV06-MZP-49610040/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n16http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F49610040%3A_____%2F05%3A00000311%21RIV06-MZP-49610040
rdf:type
skos:Concept n12:Vysledek
dcterms:description
The monitoring of c-Si wafer quality and cell production technology is the main purpose of this work. To characterize the silicon material during the process of the cell preparation, diffusion length of minority carriers L was chosen. The wavelength depe Hlavním cílem práce je monitorování kvality c=Si desek v průběhu procesu výroby solárních článků. Pro charakterizace byla zvolena metoda povrchového fotonapětí, jejímž výsledkem je určení difúzní délky minoritních nosičů ze závislosti fotogenerovaného na The monitoring of c-Si wafer quality and cell production technology is the main purpose of this work. To characterize the silicon material during the process of the cell preparation, diffusion length of minority carriers L was chosen. The wavelength depe
dcterms:title
Metoda povrchového fotonapětí využitá pro monitorování technologie výroby solárních článků Photovoltagemethod employed for monitoring of silicon solar cell technology Photovoltagemethod employed for monitoring of silicon solar cell technology
skos:prefLabel
Metoda povrchového fotonapětí využitá pro monitorování technologie výroby solárních článků Photovoltagemethod employed for monitoring of silicon solar cell technology Photovoltagemethod employed for monitoring of silicon solar cell technology
skos:notation
RIV/49610040:_____/05:00000311!RIV06-MZP-49610040
n5:strany
826, 829
n5:aktivita
n10:P
n5:aktivity
P(SM/300/1/03), P(SN/3/172/05)
n5:dodaniDat
n16:2006
n5:domaciTvurceVysledku
n7:3490971 n7:2581108 n7:6073476 n7:8037353
n5:druhVysledku
n20:D
n5:duvernostUdaju
n13:S
n5:entitaPredkladatele
n9:predkladatel
n5:idSjednocenehoVysledku
535970
n5:idVysledku
RIV/49610040:_____/05:00000311
n5:jazykVysledku
n18:eng
n5:klicovaSlova
Silicon wafers, c-Si solar cells, Diffusion length, Surface photovoltage
n5:klicoveSlovo
n6:Silicon%20wafers n6:c-Si%20solar%20cells n6:Diffusion%20length n6:Surface%20photovoltage
n5:kontrolniKodProRIV
[1DEF6B80A3B4]
n5:mistoKonaniAkce
Barcelona, Spain
n5:mistoVydani
Mnichov Německo
n5:nazevZdroje
Proceedings of the 20th International European Photovoltaic Solar Energy Conference held in Barcelona, Spain, 6-10 June 2005
n5:obor
n15:BM
n5:pocetDomacichTvurcuVysledku
7
n5:pocetTvurcuVysledku
7
n5:projekt
n11:SM%2F300%2F1%2F03 n11:SN%2F3%2F172%2F05
n5:rokUplatneniVysledku
n16:2005
n5:tvurceVysledku
Toušek, Jiří Bařinka, Radim Toušková, Jana Poruba, Aleš
n5:typAkce
n19:WRD
n5:zahajeniAkce
2005-06-06+02:00
s:numberOfPages
4
n14:hasPublisher
WIP - Renewable Energies
n17:isbn
3-936338-19-1