This HTML5 document contains 44 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n12http://localhost/temp/predkladatel/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F44555601%3A13440%2F06%3A00003275%21RIV07-MSM-13440___/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n11http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F44555601%3A13440%2F06%3A00003275%21RIV07-MSM-13440___
rdf:type
skos:Concept n16:Vysledek
dcterms:description
Low-pressure O2 plasma exposures were performed on c-Si(001) at a radio frequency (rf)-powered electrode in the presence of substrate self-biasing (VB) from VB=?60 to ?600 V, in order to evaluate ion-surface interactions at the growth surface under ion bombardment conditions suitable for the fabrication of high quality optical coatings. The plasma-surface interactions were monitored in situ using real-time spectroscopic ellipsometry (RTSE), which reveals time- and ion-fluence-resolved information about depth-dependent modifications, such as damage and oxidation below the c-Si substrate surface. RTSE analysis indicates almost immediate damage formation ( 1 s) to a depth of a few nanometers below the surface after exposure to a low oxygen ion fluence (~5x1014 O cm?2). Oxide growth is detected at intermediate fluence (~1015?1016 O cm?2) and is attributed to O subplantation (shallow implantation); it forms near the surface of the target on top of an O-deficient interfacial damage layer (DL). Both Low-pressure O2 plasma exposures were performed on c-Si(001) at a radio frequency (rf)-powered electrode in the presence of substrate self-biasing (VB) from VB=?60 to ?600 V, in order to evaluate ion-surface interactions at the growth surface under ion bombardment conditions suitable for the fabrication of high quality optical coatings. The plasma-surface interactions were monitored in situ using real-time spectroscopic ellipsometry (RTSE), which reveals time- and ion-fluence-resolved information about depth-dependent modifications, such as damage and oxidation below the c-Si substrate surface. RTSE analysis indicates almost immediate damage formation ( 1 s) to a depth of a few nanometers below the surface after exposure to a low oxygen ion fluence (~5x1014 O cm?2). Oxide growth is detected at intermediate fluence (~1015?1016 O cm?2) and is attributed to O subplantation (shallow implantation); it forms near the surface of the target on top of an O-deficient interfacial damage layer (DL). Both Vrstva c-Si(001) byla vystavena nízkotlakému kyslíkovému plazmatu s automatickým předpětím substrátu od ?60 do ?600 V za účelem vyhodnocení interakcí iontů s povrchem při výrobě velmi kvalitních optických vrstev. Interakce byly monitorovány in situ s využitím spektroskopické elipsometrie v reálném čase (RTSE), která odhaluje závislosti modifikace na čase nebo toku iontů (poruchy, oxidace pod povrchem c-Si). RTSE analýza ukazuje na téměř okamžité tvoření poruch ( 1 s) do hloubky několika nanometrů pod povrchem po vystavení malému toku kyslíkových iontů (~5x1014 O cm?2). Růst oxidu je detekován při středním toku (~1015?1016 O cm?2) a je připisován implantaci kyslíku do malé hloubky. Na povrchu terče se vytváří vrstva s velmi malým obsahem kyslíku. Při vysokém toku (>1017 O cm?2) je pozorován růst limitovaný hloubkou průniku iontů od ~ 3,6 do 9,5 nm pro předpětí ?60 do ?600 V. Experimentální pozorování bylo doplněno počítačovou simulací založenou na metodě Monte Carlo. Byl použit program Tridyn
dcterms:title
Dynamics of ion bombardment-induced modifications of Si(001) at the radio-frequency-biased electrode in low-pressure oxygen plasmas: In situ spectroscopic ellipsometry and Monte Carlo study Dynamics of ion bombardment-induced modifications of Si(001) at the radio-frequency-biased electrode in low-pressure oxygen plasmas: In situ spectroscopic ellipsometry and Monte Carlo study Dynamika modifikací Si(001) vyvolaná iontovým bombardem v nízkotlakém kyslíkovém plazmatu: In situ spektroskopická elipsometrie a Monte Carlo simulace
skos:prefLabel
Dynamics of ion bombardment-induced modifications of Si(001) at the radio-frequency-biased electrode in low-pressure oxygen plasmas: In situ spectroscopic ellipsometry and Monte Carlo study Dynamics of ion bombardment-induced modifications of Si(001) at the radio-frequency-biased electrode in low-pressure oxygen plasmas: In situ spectroscopic ellipsometry and Monte Carlo study Dynamika modifikací Si(001) vyvolaná iontovým bombardem v nízkotlakém kyslíkovém plazmatu: In situ spektroskopická elipsometrie a Monte Carlo simulace
skos:notation
RIV/44555601:13440/06:00003275!RIV07-MSM-13440___
n4:strany
063526-1 - 063526-16
n4:aktivita
n13:P
n4:aktivity
P(LC06041)
n4:cisloPeriodika
6
n4:dodaniDat
n11:2007
n4:domaciTvurceVysledku
n8:7033222
n4:druhVysledku
n14:J
n4:duvernostUdaju
n17:S
n4:entitaPredkladatele
n18:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
472679
n4:idVysledku
RIV/44555601:13440/06:00003275
n4:jazykVysledku
n10:eng
n4:klicovaSlova
plasma deposition; RTSE; Monte Carlo
n4:klicoveSlovo
n7:RTSE n7:plasma%20deposition n7:Monte%20Carlo
n4:kodStatuVydavatele
US - Spojené státy americké
n4:kontrolniKodProRIV
[E5C279AFACAD]
n4:nazevZdroje
Journal of Applied Physics
n4:obor
n5:BM
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n4:pocetTvurcuVysledku
4
n4:projekt
n9:LC06041
n4:rokUplatneniVysledku
n11:2006
n4:svazekPeriodika
100
n4:tvurceVysledku
Martinu, Ludvik Desjardins, Partick Švec, Martin Amassian, Aram
s:issn
0021-8979
s:numberOfPages
16
n12:organizacniJednotka
13440