This HTML5 document contains 45 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F27711170%3A_____%2F13%3A%230000033%21RIV14-TA0-27711170/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n6http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F27711170%3A_____%2F13%3A%230000033%21RIV14-TA0-27711170
rdf:type
skos:Concept n8:Vysledek
dcterms:description
Byla vyvinuta technologie pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec. Procesní návodka specifikuje detaily přípravy požadovaných struktur solárních článků s mělkým emitorem. A technology of forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface (up to 300 pcs of dimension 156 x 156 mm) up to +/- 3 Ohm/square was developed. Operating process description specifies details of forming desired structers of solar cells with shallow emitter. Byla vyvinuta technologie pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec. Procesní návodka specifikuje detaily přípravy požadovaných struktur solárních článků s mělkým emitorem.
dcterms:title
Operating process description for forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface up to +/- 3 Ohm/square Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec
skos:prefLabel
Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec Operating process description for forming solar cell structures with shallow phosphorus emitter with uniformity of layer resistance on all single Si wafer`s surface up to +/- 3 Ohm/square Procesní návodka pro vytváření struktur solárních článků s mělkým fosforovým emitorem s homogenitou vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek do +/- 3 Ohm/čtverec
skos:notation
RIV/27711170:_____/13:#0000033!RIV14-TA0-27711170 A-2013-12-9-SVMP-Sol-01
n8:predkladatel
n9:ico%3A27711170
n3:aktivita
n4:P
n3:aktivity
P(TA01020972)
n3:certifikacniOrgan
SVCS Process Innovation, Optátova 37, Brno 637 00
n3:datumCertifikace
2013-12-09+01:00
n3:dodaniDat
n6:2014
n3:domaciTvurceVysledku
n7:2662272 n7:2633698
n3:druhVysledku
n14:N%2FA
n3:duvernostUdaju
n16:C
n3:ekonomickeParametry
Zvýšení homogenity vrstvového odporu má pozitivní vliv jak na zvýšení účinnosti solárních článků, tak na zvýšení efektivity výroby článků samotných. Vyšší účinnost solárních článků přináší pozitivní ekonomický efekt (vyšší prodejní cena).
n3:entitaPredkladatele
n17:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
99922
n3:idVysledku
RIV/27711170:_____/13:#0000033
n3:interniIdentifikace
SVMP-Sol-01
n3:jazykVysledku
n15:cze
n3:klicovaSlova
uniformity of layer resistance; solar cells structures with shallow phosphorus emitter
n3:klicoveSlovo
n10:solar%20cells%20structures%20with%20shallow%20phosphorus%20emitter n10:uniformity%20of%20layer%20resistance
n3:kontrolniKodProRIV
[9A9DFCE3BD14]
n3:obor
n13:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
2
n3:pocetTvurcuVysledku
6
n3:projekt
n12:TA01020972
n3:rokUplatneniVysledku
n6:2013
n3:technickeParametry
Lze dosáhnout homogenity vrstvového odporu po ploše všech jednotlivých Si desek (až 300 ks s rozměrem 156 x 156 mm) do +/- 3 Ohm/čtverec.
n3:tvurceVysledku
Pitrun, Jiří Čech, Pavel Piják, Anton Bařinková, Pavlína Poruba, Aleš Bařinka, Radim