This HTML5 document contains 48 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000019%21RIV13-TA0-27711170/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n6http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000019%21RIV13-TA0-27711170
rdf:type
skos:Concept n7:Vysledek
dcterms:description
The plasma PECVD technology was developed for the deposition of ZnO thin films doped by Al. Microwave plasma jet generated by a surface wave is employed for this purpose. If the deposition conditions are controlled, It is possible to achieve defined sizes of crystallites, defined electrical conductivity and film thickeness. Byla vyvinuta plazmová PECVD technologie pripravy tenkych vrstev ZnO dopovanych Al v mikrovlnnem vyboji s povrchovou vlnou a plazmovým proudícím kanálem. Pomocí tohoto technologickeho postupu lze kontrolou podmínek při procesu dosáhnout definované velikosti krystalického zrna, elektrické vodivosti vrstvy a její tloušťky. Byla vyvinuta plazmová PECVD technologie pripravy tenkych vrstev ZnO dopovanych Al v mikrovlnnem vyboji s povrchovou vlnou a plazmovým proudícím kanálem. Pomocí tohoto technologickeho postupu lze kontrolou podmínek při procesu dosáhnout definované velikosti krystalického zrna, elektrické vodivosti vrstvy a její tloušťky.
dcterms:title
Technologický postup přípravy ZnO vrstev MW PECVD metodou s definovanou vodivosti a velikosti zrna Technologický postup přípravy ZnO vrstev MW PECVD metodou s definovanou vodivosti a velikosti zrna Technology of ZnO films preparation by MW PECVD with defined conductivity and grain size
skos:prefLabel
Technology of ZnO films preparation by MW PECVD with defined conductivity and grain size Technologický postup přípravy ZnO vrstev MW PECVD metodou s definovanou vodivosti a velikosti zrna Technologický postup přípravy ZnO vrstev MW PECVD metodou s definovanou vodivosti a velikosti zrna
skos:notation
RIV/27711170:_____/12:#0000019!RIV13-TA0-27711170 A-MWZnO-2012-01
n7:predkladatel
n8:ico%3A27711170
n3:aktivita
n11:P
n3:aktivity
P(TA01011740)
n3:certifikacniOrgan
SVCS Process Innovation s.r.o.
n3:datumCertifikace
2012-12-13+01:00
n3:dodaniDat
n6:2013
n3:domaciTvurceVysledku
n14:2633698 n14:2662272
n3:druhVysledku
n13:N%2FA
n3:duvernostUdaju
n15:C
n3:ekonomickeParametry
Metodika bude sloužit jako podpůrný produkt prodeje MWPECVD zařízení. V rámci implementace certifikované metodiky do zmíněného MWPECVD zařízení očekáváme navýšení ceny tohoto zařízení cca o 4%.
n3:entitaPredkladatele
n12:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
173458
n3:idVysledku
RIV/27711170:_____/12:#0000019
n3:interniIdentifikace
MWZnO-2012-01
n3:jazykVysledku
n17:cze
n3:klicovaSlova
deposition; plasma; MWPECVD technology; thin films
n3:klicoveSlovo
n5:MWPECVD%20technology n5:thin%20films n5:plasma n5:deposition
n3:kontrolniKodProRIV
[1C7EF206D9F1]
n3:obor
n10:BL
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
2
n3:pocetTvurcuVysledku
7
n3:projekt
n16:TA01011740
n3:rokUplatneniVysledku
n6:2012
n3:technickeParametry
Byla vyvinuta plazmová PECVD technologie pripravy tenkych vrstev ZnO dopovanych Al v mikrovlnnem vyboji s povrchovou vlnou a plazmovým proudícím kanálem. Pomocí tohoto technologickeho postupu lze kontrolou podmínek při procesu dosáhnout definované velikosti krystalického zrna, elektrické vodivosti vrstvy a její tloušťky
n3:tvurceVysledku
Čada, Martin Potocký, Štěpán Pitrun, Jiří Hubička, Zdeněk Šmíd, Jiří Kromka, Alexander Piják, Antonín