This HTML5 document contains 46 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000012%21RIV13-TA0-27711170/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n10http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000012%21RIV13-TA0-27711170
rdf:type
skos:Concept n16:Vysledek
dcterms:description
Rychlejší alternativou vytváření kvalitních SiO2 vrstev je termická oxidace ve vlhkém prostředí (ve vodní páře). Touto technikou lze při relativně nízkých teplotách a oxidačních časech dosáhnout tlouštěk SiO2 vrstev až několik stovek nm. Proces je ovšem silně náchylný na homogenitu proudění reakčních plynů v reaktoru. Pro finální odladění nastavení celého procesu hrálo podstatnou roli modelování rozložení teploty a proudění v reaktoru pomocí programu CFD-ACE+. Výsledkem je několik řídících programů pro proces vlhké oxidace s cílovou tloušťkou SiO2 vrstvy (na nízko dotovaném substrátu) v rozmezí 100 až 450 nm. Wet thermal oxidation is faster alternative for SiO2 layer formation of the standard oxidation process in O2. By this technique we are able to achieve SiO2 layers with thickness up to hundreds nm in quite low temperature and process time. Results of this process are highly influenced by the homogeneity of the ambient surrounding the wafer. Final process tuning was acceptable only after numerical modelling the temperature and flow rate distribution within the reactor by the CFD-ACW+ software. As a result few steering programs for the wet thermal oxidation process with final SiO2 thickness 100-450 nm (on lowly doped Si substrates) were verified. Rychlejší alternativou vytváření kvalitních SiO2 vrstev je termická oxidace ve vlhkém prostředí (ve vodní páře). Touto technikou lze při relativně nízkých teplotách a oxidačních časech dosáhnout tlouštěk SiO2 vrstev až několik stovek nm. Proces je ovšem silně náchylný na homogenitu proudění reakčních plynů v reaktoru. Pro finální odladění nastavení celého procesu hrálo podstatnou roli modelování rozložení teploty a proudění v reaktoru pomocí programu CFD-ACE+. Výsledkem je několik řídících programů pro proces vlhké oxidace s cílovou tloušťkou SiO2 vrstvy (na nízko dotovaném substrátu) v rozmezí 100 až 450 nm.
dcterms:title
Process recipes for wet silicon oxide formation of various thickness for advanced solar cell structures and in semiconductor applications. Procesní návodky pro vytváření vlhkých maskovacích oxidů různých tlouštěk pro %22advanced%22 struktury solárních článků a pro použití v polovodičovém průmyslu Procesní návodky pro vytváření vlhkých maskovacích oxidů různých tlouštěk pro %22advanced%22 struktury solárních článků a pro použití v polovodičovém průmyslu
skos:prefLabel
Procesní návodky pro vytváření vlhkých maskovacích oxidů různých tlouštěk pro %22advanced%22 struktury solárních článků a pro použití v polovodičovém průmyslu Process recipes for wet silicon oxide formation of various thickness for advanced solar cell structures and in semiconductor applications. Procesní návodky pro vytváření vlhkých maskovacích oxidů různých tlouštěk pro %22advanced%22 struktury solárních článků a pro použití v polovodičovém průmyslu
skos:notation
RIV/27711170:_____/12:#0000012!RIV13-TA0-27711170 A-2012-12-13-SVVMO_SOL_01
n16:predkladatel
n17:ico%3A27711170
n5:aktivita
n13:P
n5:aktivity
P(TA01020972)
n5:certifikacniOrgan
SVCS Process Innovation s.r.o., Na Potůčkách 163, Valašské Meziříčí 757 01
n5:datumCertifikace
2012-12-13+01:00
n5:dodaniDat
n10:2013
n5:domaciTvurceVysledku
n6:2662272
n5:druhVysledku
n14:N%2FA
n5:duvernostUdaju
n15:C
n5:ekonomickeParametry
Znalost %22know-how%22 v dané problematice detailního nastavení procesu vlhké oxidace posiluje kredit výrobce zařízení (SVCS) u svých zákazníků. Metodika může být rovněž využitelná i v polovodičovém průmyslu.
n5:entitaPredkladatele
n8:predkladatel
n5:idSjednocenehoVysledku
162383
n5:idVysledku
RIV/27711170:_____/12:#0000012
n5:interniIdentifikace
SVVMO_SOL_01
n5:jazykVysledku
n9:cze
n5:klicovaSlova
silicon oxide; wet thermal oxidation of silicon; water steamer
n5:klicoveSlovo
n11:wet%20thermal%20oxidation%20of%20silicon n11:silicon%20oxide n11:water%20steamer
n5:kontrolniKodProRIV
[D77CA85553A9]
n5:obor
n12:BM
n5:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n5:pocetTvurcuVysledku
7
n5:projekt
n7:TA01020972
n5:rokUplatneniVysledku
n10:2012
n5:technickeParametry
Modifikací parametrů procesu vlhké oxidace (nastavení díky simulacím v CFD-ACE+) došlo k markantnímu zlepšení homogenity růstu SiO2 vrstev po ploše jednotlivých Si desek i na deskách podél celého reaktoru a to zejména u menších typů oxidačních pecí.
n5:tvurceVysledku
Čech, Pavel Pitrun, Jiří Wostrý, Petr Frantík, Ondřej Bařinková, Pavlína Bařinka, Radim Poruba, Aleš