This HTML5 document contains 64 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/licencniPoplatek/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000004%21RIV13-TA0-27711170/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kategorie/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n10http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F27711170%3A_____%2F12%3A%230000004%21RIV13-TA0-27711170
rdf:type
skos:Concept n5:Vysledek
dcterms:description
Ověřená technologie suché a vlhké oxidace 5-ti a 6-ti palcových Si desek pro dosažení homogenity požadované tloušťky vrstvy SiO2 po ploše jednotlivých desek v celé zpracovávané dávce zahrnuje také ověření použití designu dvouvrstvé ARC pasivační vrstvy s tloušťkou 25 až 30 nm v procesu výroby solárních článků s vysokou účinností. Ověřená technologie suché a vlhké oxidace 5-ti a 6-ti palcových Si desek pro dosažení homogenity požadované tloušťky vrstvy SiO2 po ploše jednotlivých desek v celé zpracovávané dávce zahrnuje také ověření použití designu dvouvrstvé ARC pasivační vrstvy s tloušťkou 25 až 30 nm v procesu výroby solárních článků s vysokou účinností. Verified technology of dry and wet oxidation of 5 and 6 inched Si wafers for achieving uniformity of required thickness of SiO2 layer at wafers surfarce in whole dose comprises a verification of using a design of double layerd antireflexive pasivation layer with thickness from 25 to 30 nm in process of manufacturing solar cells of high efficiency.
dcterms:title
Ověřená technologie funkčnosti prototypu zařízení pro vysokoteplotní suchou a mokrou oxidaci na strukturách křemíkových solárních článků Verified technology of functionallity of reactor prototype for hightemperature wet and dry oxidation at silicon solar cells structures. Ověřená technologie funkčnosti prototypu zařízení pro vysokoteplotní suchou a mokrou oxidaci na strukturách křemíkových solárních článků
skos:prefLabel
Ověřená technologie funkčnosti prototypu zařízení pro vysokoteplotní suchou a mokrou oxidaci na strukturách křemíkových solárních článků Ověřená technologie funkčnosti prototypu zařízení pro vysokoteplotní suchou a mokrou oxidaci na strukturách křemíkových solárních článků Verified technology of functionallity of reactor prototype for hightemperature wet and dry oxidation at silicon solar cells structures.
skos:notation
RIV/27711170:_____/12:#0000004!RIV13-TA0-27711170
n5:predkladatel
n6:ico%3A27711170
n4:aktivita
n8:P
n4:aktivity
P(TA01020972)
n4:dodaniDat
n10:2013
n4:domaciTvurceVysledku
n9:8292124 n9:5309921 n9:1350544 n9:7165528 n9:3919404 n9:7773765 n9:2633698 n9:2501511 n9:2662272
n4:druhVysledku
n7:Z%2FB
n4:duvernostUdaju
n14:C
n4:ekonomickeParametry
V případě implementace ověřené technolopie pro vysokoteplotní suchou a mokrou oxidaci na strukturách křemíkových solárních článků do vysokoteplotních pecí SVFur společně s metodikami pro přípravu substrátů a vytváření těchto vrstev se předpokládá 7% nárůst prodeje v segmentu oxidačních reaktorů společností SVCS Process Innovation s.r.o.
n4:entitaPredkladatele
n12:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
157388
n4:idVysledku
RIV/27711170:_____/12:#0000004
n4:interniIdentifikace
SVOXI_SOL_1
n4:jazykVysledku
n18:cze
n4:kategorie
n16:A
n4:klicovaSlova
high temperature silicon oxide layer formation
n4:klicoveSlovo
n19:high%20temperature%20silicon%20oxide%20layer%20formation
n4:kontrolniKodProRIV
[EE0D83E76E80]
n4:licencniPoplatek
n11:Z
n4:obor
n15:JA
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
9
n4:pocetTvurcuVysledku
18
n4:projekt
n17:TA01020972
n4:rokUplatneniVysledku
n10:2012
n4:technickeParametry
Ověření možnosti jednotného designu pecí pro suchou a vlhkou oxidaci Si desek. Ověření kvality (pasivačních vlastností pro n-typové i p-typové povrchy) a rychlosti růstu oxidových vrstev v závislosti na teplotě, úrovni povrchové koncentrace dopantů a ředění koncentrace vodní páry v reaktoru přidáním dusíku a kyslíku. Ověření vlivu růstových parametrů SiO2 vrstvy na výsledné optické a elektrické vlastnosti testovacích solárních článků. Ověření použití designu dvojvrstvé ARC pasivační vrstvy s tloušťkou 25 až 30 nm (ve spojení s další tenkou vrstvou na bázi Si3N4 s tloušťkou 40 až 50 nm) v procesu výroby solárních článků s vysokou účinností.
n4:tvurceVysledku
Poruba, Aleš Piják, Antonín Jakeš, Jakub Mareš, Gustav Fiala, Martin Martínek, Pavel Wostrý, Petr Frantík, Ondřej Pitrun, Jiří Konečný, Ladislav Holovský, Jakub Bařinka, Radim Rek, Štěpán Purkrt, Adam Čech, Pavel Štěpánek, Jaroslav Bařinková, Pavlína Remeš, Zdeněk
n4:vlastnik
n12:vlastnikVysledku
n4:vyuzitiJinymSubjektem
n20:P