This HTML5 document contains 43 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
dcterms	http://purl.org/dc/terms/
n16	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n8	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n12	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n15	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n11	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
skos	http://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n14	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/licencniPoplatek/
n2	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n4	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F26821532%3A_____%2F14%3A%230000080%21RIV14-MPO-26821532/
n5	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kategorie/
n20	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n13	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n6	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n18	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n17	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n19	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n7	http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item

n2:RIV%2F26821532%3A_____%2F14%3A%230000080%21RIV14-MPO-26821532

rdf:type

skos:Concept n11:Vysledek

dcterms:description

Process flow for manufacturing Non-Punch Through (NPT) Trench Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) for 1200 V minimum breakdown voltage using 150 mm wafers. Process flow for manufacturing Non-Punch Through (NPT) Trench Insulated-Gate Bipolar Transistors (IGBTs) for 1200 V minimum breakdown voltage using 150 mm wafers.

dcterms:title

1200V NPT IGBT Process 1200V NPT IGBT Process

skos:prefLabel

1200V NPT IGBT Process 1200V NPT IGBT Process

skos:notation

RIV/26821532:_____/14:#0000080!RIV14-MPO-26821532

n11:predkladatel

n12:ico%3A26821532

n3:aktivita

n18:P

n3:aktivity

P(FR-TI3/534)

n3:dodaniDat

n7:2014

n3:domaciTvurceVysledku

n8:1051334 n8:6043291

n3:druhVysledku

n15:Z%2FB

n3:duvernostUdaju

n6:C

n3:ekonomickeParametry

Průměrné jednotkové náklady o 16% nižší proti cílům projektu.

n3:entitaPredkladatele

n4:predkladatel

n3:idSjednocenehoVysledku

58093

n3:idVysledku

RIV/26821532:_____/14:#0000080

n3:interniIdentifikace

1200V NPT IGBT

n3:jazykVysledku

n17:eng

n3:kategorie

n5:B

n3:klicovaSlova

semiconductor, IGBT, high voltage technology, power device

n3:klicoveSlovo

n13:high%20voltage%20technology n13:power%20device n13:semiconductor n13:IGBT

n3:kontrolniKodProRIV

[D7ED1319CC3C]

n3:licencniPoplatek

n14:A

n3:obor

n19:JA

n3:pocetDomacichTvurcuVysledku

2

n3:pocetTvurcuVysledku

4

n3:projekt

n16:FR-TI3%2F534

n3:rokUplatneniVysledku

n7:2014

n3:technickeParametry

Závěrné napětí 1290V, saturační napětí 2,07V, spínací ztráty 1,33V. Výsledek bude využit příjemcem - ON SEMICONDUCTOR (IČ26821532) ve výrobní lince CZ4 v souladu se směrnicí 1/2014 (ITD11) ze dne 26.3.2014. Licenční smlouva nebyla uzavřena. Odpovědnost: M. Lorenc, +420571754507, michal.lorenc@onsemi.com.

n3:tvurceVysledku

Vavro, Juraj Kuruc, Marian Freundlich, Pavel Líbezný, Milan

n3:vlastnik

n4:vlastnikVysledku

n3:vyuzitiJinymSubjektem

n20:A