This HTML5 document contains 45 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n15http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n10https://schema.org/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F26821532%3A_____%2F06%3A%230000007%21RIV08-MPO-26821532/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n17http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F26821532%3A_____%2F06%3A%230000007%21RIV08-MPO-26821532
rdf:type
skos:Concept n19:Vysledek
dcterms:description
Využití systému multivrstev polykrystalického křemíku - oxidu křemíku pro zvýšení getračních schopností zadní strany křemíkové desky a vysvětlení funkce multivrstev pro zvýšení getračních schopností křemíkových desek. Utilization of multilayer system of polycrystalline silicon – silicon dioxide for backside gettering as well as the idea of its function is subject of US Patent proceedings and is proprietary of ON Semiconductor Czech Republic Utilization of multilayer system of polycrystalline silicon – silicon dioxide for backside gettering as well as the idea of its function is subject of US Patent proceedings and is proprietary of ON Semiconductor Czech Republic
dcterms:title
Gettering capability and structure of polycrystalline silicon layers Getrační schopnosti a struktura polykrystalicjých křemíkových vrstev Gettering capability and structure of polycrystalline silicon layers
skos:prefLabel
Gettering capability and structure of polycrystalline silicon layers Getrační schopnosti a struktura polykrystalicjých křemíkových vrstev Gettering capability and structure of polycrystalline silicon layers
skos:notation
RIV/26821532:_____/06:#0000007!RIV08-MPO-26821532
n3:strany
408-411
n3:aktivita
n7:P
n3:aktivity
P(FI-IM2/131)
n3:dodaniDat
n17:2008
n3:domaciTvurceVysledku
n14:1116029 n14:1388428
n3:druhVysledku
n12:D
n3:duvernostUdaju
n20:S
n3:entitaPredkladatele
n16:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
477075
n3:idVysledku
RIV/26821532:_____/06:#0000007
n3:jazykVysledku
n11:eng
n3:klicovaSlova
Silicon, gettering, polycrystalline, multilayer
n3:klicoveSlovo
n13:gettering n13:multilayer n13:polycrystalline n13:Silicon
n3:kontrolniKodProRIV
[9E9F69526EBF]
n3:mistoKonaniAkce
Rožnov pod Radhoštěm (CZ)
n3:mistoVydani
Rožnov pod Radhoštěm (CZ)
n3:nazevZdroje
SILICON 2006
n3:obor
n18:JA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
3
n3:pocetTvurcuVysledku
3
n3:projekt
n9:FI-IM2%2F131
n3:rokUplatneniVysledku
n17:2006
n3:tvurceVysledku
Lorenc, Michal Válek, Lukáš
n3:typAkce
n8:EUR
n3:zahajeniAkce
2006-11-07+01:00
s:numberOfPages
4
n15:hasPublisher
TECON Scientific, s.r.o. (ed. K. Vojtěchovský)
n10:isbn
80-239-7781-4