This HTML5 document contains 45 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n18http://localhost/temp/predkladatel/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/licencniPoplatek/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kategorie/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APR27798%21RIV15-MSM-26220___/
n4http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F00216305%3A26220%2F14%3APR27798%21RIV15-MSM-26220___
rdf:type
n5:Vysledek skos:Concept
rdfs:seeAlso
http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/
dcterms:description
A prototype of test jig for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors threshold voltage temperature coefficient has been built and initial successful experiments have been completed. While the transistor characterization is fully automated, the control of transistors temperature is manual. It has been demonstrated that the gamma radiation can induce serious changes to the transistor temperature coefficients and these changes are also a function of the transistor bias voltage during the irradiation. Byl navržen a realizován prototyp poloautomatického testu radiačních změn (degradací) teplotní závislosti prahového napětí PMOS tranzistorů a byly provedeny prvotní úspěšné experimenty. Zatímco měření charakteristiky PMOS probíhalo plně automaticky, teplota tranzistorů byla řízena manuálně. Podařilo se prokázat, že radiace způsobuje výrazné změny teplotních koeficientů tranzistorů a že tyto změny jsou také silně závislé na napájení tranzistorů během jejich ozařování. Byl navržen a realizován prototyp poloautomatického testu radiačních změn (degradací) teplotní závislosti prahového napětí PMOS tranzistorů a byly provedeny prvotní úspěšné experimenty. Zatímco měření charakteristiky PMOS probíhalo plně automaticky, teplota tranzistorů byla řízena manuálně. Podařilo se prokázat, že radiace způsobuje výrazné změny teplotních koeficientů tranzistorů a že tyto změny jsou také silně závislé na napájení tranzistorů během jejich ozařování.
dcterms:title
Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů Test jig for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors temperature coefficients
skos:prefLabel
Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů Test jig for evaluation of radiation induced changes of PMOS transistors temperature coefficients
skos:notation
RIV/00216305:26220/14:PR27798!RIV15-MSM-26220___
n3:aktivita
n12:S
n3:aktivity
S
n3:dodaniDat
n4:2015
n3:domaciTvurceVysledku
n11:1904345 n11:5249864
n3:druhVysledku
n14:G%2FB
n3:duvernostUdaju
n17:S
n3:ekonomickeParametry
50000 Kč
n3:entitaPredkladatele
n13:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
39520
n3:idVysledku
RIV/00216305:26220/14:PR27798
n3:interniIdentifikace
RaTran.v01
n3:jazykVysledku
n7:cze
n3:kategorie
n16:A
n3:klicovaSlova
transistor, MOS, threshold voltage, temperature dependency, gamma radiation
n3:klicoveSlovo
n9:threshold%20voltage n9:temperature%20dependency n9:MOS n9:gamma%20radiation n9:transistor
n3:kontrolniKodProRIV
[5179435FFD11]
n3:licencniPoplatek
n10:N
n3:obor
n15:JA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
2
n3:pocetTvurcuVysledku
2
n3:rokUplatneniVysledku
n4:2014
n3:technickeParametry
Maximalní celková dávka (Co60) : 1Mrad, Rozsah m25en9 Vth: 0 a6 200V, Teplotní rozsah: -30 až 100C
n3:tvurceVysledku
Háze, Jiří Hofman, Jiří
n3:vlastnik
n13:vlastnikVysledku
n3:vyuzitiJinymSubjektem
n19:A
n18:organizacniJednotka
26220