This HTML5 document contains 47 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n15http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n8http://localhost/temp/predkladatel/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n23https://schema.org/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n22http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU100568%21RIV13-MPO-26220___/
n4http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F00216305%3A26220%2F12%3APU100568%21RIV13-MPO-26220___
rdf:type
skos:Concept n16:Vysledek
rdfs:seeAlso
http://www.epe-conference.eu
dcterms:description
Paper gives closer prospection of new technologies of switching devices used in power electronic and describes their expected benefits in power conversion systems (motors, converters, electric sources, smart-grid systems). Semiconductor technologies ased on Silicon Carbide „SiC“ or Gallium Nitride are new technologies significantly improving static and dynamic parameters of the switching devices. SiC transistors and their behavior is very similar to conventional MOSFET Si transistor. But in many parameters re superior in comparison to Si transistors and improve than the efficiency of the power devices and the whole energy systems. Huge benefit is their breakdown voltage shifted up to 1200V and more in the near future. This allows their use in 3 phase supply stems which make up majority of the realized industrial application. Short switching and recovery times and allow shift switching frequency of the converters over 100kHz. High switching frequencies generally reduce weight and volume of the h SiC a GaN polovodičové technologie jsou nejslibnější budoucí technologie spínacích součástek v oblasti výkonové elektroniky. Velikost intenzity elektrického pole při průrazu je až desetinásobně vyšší než u klasických Si technologií. První existující komerční výkonové polovodiče již dosahují závěrných napětí až 1700 V. Ve vývoji jsou již polovodiče se závěrným napětím až 10 kV. Díky vysoké hodnotě závěrného napětí lze zkrátit substrátovou vrstvu a docílit tak malého odporu kanálu. Odpor kanálu navíc nejméně oste s teplotou. Nové polovodiče jsou schopné pracovat s teplotou přechodu přes 300 C. Takto extrémně vysoké teploty dovolují nižší hmotnosti a objemy chladících soustav a tím i výraznou úsporu výrobních nákladů. Vysoké hodnoty elektronové pohyblivostí umožňují spínací frekvence daleko za 100 kHz i při vysokém napětí (>1 kV) a nízké přepínací ztráty. Z několika měření elektromagnetické komp SiC a GaN polovodičové technologie jsou nejslibnější budoucí technologie spínacích součástek v oblasti výkonové elektroniky. Velikost intenzity elektrického pole při průrazu je až desetinásobně vyšší než u klasických Si technologií. První existující komerční výkonové polovodiče již dosahují závěrných napětí až 1700 V. Ve vývoji jsou již polovodiče se závěrným napětím až 10 kV. Díky vysoké hodnotě závěrného napětí lze zkrátit substrátovou vrstvu a docílit tak malého odporu kanálu. Odpor kanálu navíc nejméně oste s teplotou. Nové polovodiče jsou schopné pracovat s teplotou přechodu přes 300 C. Takto extrémně vysoké teploty dovolují nižší hmotnosti a objemy chladících soustav a tím i výraznou úsporu výrobních nákladů. Vysoké hodnoty elektronové pohyblivostí umožňují spínací frekvence daleko za 100 kHz i při vysokém napětí (>1 kV) a nízké přepínací ztráty. Z několika měření elektromagnetické komp
dcterms:title
Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie Utilization SiC and GaN technology in modern systems for energy conversion
skos:prefLabel
Utilization SiC and GaN technology in modern systems for energy conversion Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie Využití SiC a GaN technologií v moderních systémech pro přeměnu energie
skos:notation
RIV/00216305:26220/12:PU100568!RIV13-MPO-26220___
n16:predkladatel
n17:orjk%3A26220
n3:aktivita
n21:S n21:P
n3:aktivity
P(ED0014/01/01), P(FR-TI1/061), S
n3:dodaniDat
n4:2013
n3:domaciTvurceVysledku
n7:4915585 n7:6706916
n3:druhVysledku
n19:D
n3:duvernostUdaju
n6:S
n3:entitaPredkladatele
n5:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
179691
n3:idVysledku
RIV/00216305:26220/12:PU100568
n3:jazykVysledku
n12:cze
n3:klicovaSlova
SiC transistors, High switching frequency
n3:klicoveSlovo
n22:SiC%20transistors n22:High%20switching%20frequency
n3:kontrolniKodProRIV
[ABA3C74C5D9D]
n3:mistoKonaniAkce
Brno
n3:mistoVydani
Brno
n3:nazevZdroje
Proceedings of the 13th Internationnal Scientific Conference Electric Power Engineering 2012, Volume 1
n3:obor
n20:JA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
2
n3:pocetTvurcuVysledku
2
n3:projekt
n10:ED0014%2F01%2F01 n10:FR-TI1%2F061
n3:rokUplatneniVysledku
n4:2012
n3:tvurceVysledku
Procházka, Petr Pazdera, Ivo
n3:typAkce
n18:EUR
n3:zahajeniAkce
2012-05-23+02:00
s:numberOfPages
5
n15:hasPublisher
Vysoké učení technické v Brně
n23:isbn
978-80-214-4514-7
n8:organizacniJednotka
26220