This HTML5 document contains 46 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n12http://localhost/temp/predkladatel/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/podDruhVysledku/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/kategorie/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APR25055%21RIV11-MSM-26220___/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/vyuzitiJinymSubjektem/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n15http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F00216305%3A26220%2F10%3APR25055%21RIV11-MSM-26220___
rdf:type
n13:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
The objective function of the sample preparation was to examine changes in the technological process of high temperature passivation by LPCVD (850 st. C) and the replacement of the magnetron sputtering technology step at low temperatures (approx.100 st. C). The material selected for the reactive deposition of layers of aluminum nitridewas chosen (AlN). Thin layers were deposited on the front side cells. After making a solar cell were measured by the output parameters and compared with standardtechnology. It was shown that the values in particular efficiency and fill factor arecomparable with LPCVD technology. The comparison showed that the high-temperature processes can be removed without a significant decrease in the desiredoutput parameters. Cílem sestavení funkčního vzorku bylo vyloučení technologického procesu vysokoteplotní pasivace metodou LPCVD (850 st.C) a nahrazení tohoto kroku technologií magnetronového naprašování při nízkých teplotách (cca. 100 st.C). Jako materiál pro reaktivní depozici vybraných vrstev byl zvolen nitrid hliníku AlN. Tenké vrstvy byly deponovány na přední stranu článků. Po zhotovení solárního článku byly měřeny jeho výstupní parametry a srovnávány se standardní technologií. Bylo prokázáno, že zjištěné hodnoty zejména účinnosti a fill faktoru byly srovnatelné s technologií LPCVD. Ve srovnání se tedy ukázalo, že je možné odstranit vysokoteplotní procesy bez výrazného poklesu žádaných výstupních parametrů. Cílem sestavení funkčního vzorku bylo vyloučení technologického procesu vysokoteplotní pasivace metodou LPCVD (850 st.C) a nahrazení tohoto kroku technologií magnetronového naprašování při nízkých teplotách (cca. 100 st.C). Jako materiál pro reaktivní depozici vybraných vrstev byl zvolen nitrid hliníku AlN. Tenké vrstvy byly deponovány na přední stranu článků. Po zhotovení solárního článku byly měřeny jeho výstupní parametry a srovnávány se standardní technologií. Bylo prokázáno, že zjištěné hodnoty zejména účinnosti a fill faktoru byly srovnatelné s technologií LPCVD. Ve srovnání se tedy ukázalo, že je možné odstranit vysokoteplotní procesy bez výrazného poklesu žádaných výstupních parametrů.
dcterms:title
Krystalický solární článek s alternativní povrchovou pasivací Krystalický solární článek s alternativní povrchovou pasivací Crystalline solar cell with alternative surface passivation
skos:prefLabel
Krystalický solární článek s alternativní povrchovou pasivací Crystalline solar cell with alternative surface passivation Krystalický solární článek s alternativní povrchovou pasivací
skos:notation
RIV/00216305:26220/10:PR25055!RIV11-MSM-26220___
n3:aktivita
n8:S n8:Z
n3:aktivity
S, Z(MSM0021630503)
n3:dodaniDat
n15:2011
n3:domaciTvurceVysledku
n11:4619773 n11:6824927
n3:druhVysledku
n6:G%2FB
n3:duvernostUdaju
n16:C
n3:ekonomickeParametry
-
n3:entitaPredkladatele
n9:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
267448
n3:idVysledku
RIV/00216305:26220/10:PR25055
n3:interniIdentifikace
SOL#1
n3:jazykVysledku
n10:cze
n3:kategorie
n18:A
n3:klicovaSlova
solar cell, passivation layer, antireflection coating, magnetron sputtering, aluminum nitride
n3:klicoveSlovo
n4:solar%20cell n4:antireflection%20coating n4:aluminum%20nitride n4:passivation%20layer n4:magnetron%20sputtering
n3:kontrolniKodProRIV
[3D3A4B39CBFB]
n3:lokalizaceVysledku
Solartec s.r.o., Rožnov pod Radhoštěm
n3:obor
n19:JA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
2
n3:pocetTvurcuVysledku
2
n3:rokUplatneniVysledku
n15:2010
n3:technickeParametry
Solartec s.r.o., IČ: 496 10 040
n3:tvurceVysledku
Boušek, Jaroslav Hégr, Ondřej
n3:vlastnik
n9:vlastnikVysledku
n3:vyuzitiJinymSubjektem
n14:N
n3:zamer
n17:MSM0021630503
n12:organizacniJednotka
26220