This HTML5 document contains 38 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n16http://localhost/temp/predkladatel/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU74378%21RIV10-MSM-26220___/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n6http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F00216305%3A26220%2F08%3APU74378%21RIV10-MSM-26220___
rdf:type
n10:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Publikace pojednává o problematice fluktuačních jevů při transportu náboje v polovodičových materiálech a součástkách a o aplikacích šumové spektroskopie pro odhad kvality a spolehlivosti pasivních i aktivních elektronických součástek Publikace pojednává o problematice fluktuačních jevů při transportu náboje v polovodičových materiálech a součástkách a o aplikacích šumové spektroskopie pro odhad kvality a spolehlivosti pasivních i aktivních elektronických součástek Booklet deals with low-frequency noise in electronic materials and devices and and its use as a diagnostic tool for device characterisation. Noise spectroscopy is very sensitive technique for analysis of bulk and interface defects, determining quality and reliability of electronic devices. Fluctuation phenomena in wide range of passive and active devices are discussed, comprising noise in tantalum capacitors, thick film resistors and field effect transistors, based either on silicon, or novel III-V heterostructures, such as InGaAs/InAlAs or GaN/AlGaN.
dcterms:title
Fluktuační jevy v elektronických součástkách: tantalové kondenzátory, tlustovrstvové odpory a heterostruktury FET Fluctuation phenomena in electronic devices: tantalum capacitors, thick film resistors and heterostructures FET Fluktuační jevy v elektronických součástkách: tantalové kondenzátory, tlustovrstvové odpory a heterostruktury FET
skos:prefLabel
Fluktuační jevy v elektronických součástkách: tantalové kondenzátory, tlustovrstvové odpory a heterostruktury FET Fluktuační jevy v elektronických součástkách: tantalové kondenzátory, tlustovrstvové odpory a heterostruktury FET Fluctuation phenomena in electronic devices: tantalum capacitors, thick film resistors and heterostructures FET
skos:notation
RIV/00216305:26220/08:PU74378!RIV10-MSM-26220___
n4:aktivita
n12:Z
n4:aktivity
Z(MSM0021630503)
n4:dodaniDat
n6:2010
n4:domaciTvurceVysledku
n13:7526938
n4:druhVysledku
n9:O
n4:duvernostUdaju
n17:S
n4:entitaPredkladatele
n11:predkladatel
n4:idSjednocenehoVysledku
368231
n4:idVysledku
RIV/00216305:26220/08:PU74378
n4:jazykVysledku
n5:cze
n4:klicovaSlova
1/f noise, RTS noise, reliability, NDT, GaN, InGaAs, MOSFET
n4:klicoveSlovo
n7:1%2Ff%20noise n7:RTS%20noise n7:GaN n7:reliability n7:InGaAs n7:NDT n7:MOSFET
n4:kontrolniKodProRIV
[63DCF1B1354B]
n4:obor
n14:JA
n4:pocetDomacichTvurcuVysledku
1
n4:pocetTvurcuVysledku
1
n4:rokUplatneniVysledku
n6:2008
n4:tvurceVysledku
Pavelka, Jan
n4:zamer
n15:MSM0021630503
n16:organizacniJednotka
26220