This HTML5 document contains 54 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
n16	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dcterms	http://purl.org/dc/terms/
n20	http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n18	http://localhost/temp/predkladatel/
n9	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n6	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n15	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F00216305%3A26210%2F03%3APU41981%21RIV06-GA0-26210___/
n12	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n11	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
s	http://schema.org/
n5	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
skos	http://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n2	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n8	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n19	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n14	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n7	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n21	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n10	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n13	http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item

n2:RIV%2F00216305%3A26210%2F03%3APU41981%21RIV06-GA0-26210___

rdf:type

n12:Vysledek skos:Concept

dcterms:description

In-situ monitorování růstu tenkých vrstev Ga a GaN a jejich strukturní analýza pomocí TOF-LEIS. In-situ monitoring of thin Ga and GaN layers growth and TOF-LEIS structural analysis. In-situ monitoring of thin Ga and GaN layers growth and TOF-LEIS structural analysis.

dcterms:title

TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111) TOF-LEIS analýza ultratenkých vrstev: růst vrsten Ga a GaN na Si (111) TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)

skos:prefLabel

TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111) TOF-LEIS analýza ultratenkých vrstev: růst vrsten Ga a GaN na Si (111) TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111)

skos:notation

RIV/00216305:26210/03:PU41981!RIV06-GA0-26210___

n5:strany

0-1

n5:aktivita

n7:P n7:Z

n5:aktivity

P(GA202/02/0767), P(ME 334), P(ME 480), Z(MSM 262100002)

n5:dodaniDat

n13:2006

n5:domaciTvurceVysledku

n6:9639195 n6:6804233 n6:9597719 n6:2404214 n6:1917072

n5:druhVysledku

n10:D

n5:duvernostUdaju

n19:S

n5:entitaPredkladatele

n15:predkladatel

n5:idSjednocenehoVysledku

631114

n5:idVysledku

RIV/00216305:26210/03:PU41981

n5:jazykVysledku

n14:eng

n5:klicovaSlova

TOF-LEIS, Ga, GaN,

n5:klicoveSlovo

n8:Ga n8:GaN n8:TOF-LEIS

n5:kontrolniKodProRIV

[F07314F16465]

n5:mistoKonaniAkce

Praha

n5:mistoVydani

Praha

n5:nazevZdroje

ECOSS 22 CD

n5:obor

n21:BM

n5:pocetDomacichTvurcuVysledku

5

n5:pocetTvurcuVysledku

5

n5:projekt

n9:ME%20480 n9:GA202%2F02%2F0767 n9:ME%20334

n5:rokUplatneniVysledku

n13:2003

n5:tvurceVysledku

Bábor, Petr Šikola, Tomáš Kolíbal, Miroslav Průša, Stanislav Bauer, Petr

n5:typAkce

n16:EUR

n5:zahajeniAkce

2003-09-08+02:00

n5:zamer

n11:MSM%20262100002

s:numberOfPages

2

n20:hasPublisher

FÚ AV ČR

n18:organizacniJednotka

26210