This HTML5 document contains 57 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n19http://localhost/temp/predkladatel/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F00216275%3A25310%2F06%3A00004193%21RIV08-MSM-25310___/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n7http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F00216275%3A25310%2F06%3A00004193%21RIV08-MSM-25310___
rdf:type
skos:Concept n18:Vysledek
dcterms:description
The aim of the present investigation was to optimize deposition conditions for the preparation of pure and Tm3+ or Er3+ doped sulphide films by pulsed laser deposition and rf magnetron sputtering system. The study of their compositional, morphological and structural characteristics was realized by MEB-EDS, atomic force, RBS, X-ray diffraction and Raman spectroscopy analyses. Some optical properties (transmittance, index of refraction, optical band gap, etc.) of prepared chalcogenide films and the propagation modes measured at 633 nm, 1304 nm and 1540 nm by means of the m-lines prism-coupling configuration were investigated. The whole results point out hopeful perspectives strengthened by the clear observation of the photo-luminescence of erbium and thulium within doped sulphide films. The aim of the present investigation was to optimize deposition conditions for the preparation of pure and Tm3+ or Er3+ doped sulphide films by pulsed laser deposition and rf magnetron sputtering system. The study of their compositional, morphological and structural characteristics was realized by MEB-EDS, atomic force, RBS, X-ray diffraction and Raman spectroscopy analyses. Some optical properties (transmittance, index of refraction, optical band gap, etc.) of prepared chalcogenide films and the propagation modes measured at 633 nm, 1304 nm and 1540 nm by means of the m-lines prism-coupling configuration were investigated. The whole results point out hopeful perspectives strengthened by the clear observation of the photo-luminescence of erbium and thulium within doped sulphide films. Cílem výzkumu byla optimalizace depozičních podmínek pro přípravu čistých a Tm3+ nebo Er3+ dotovaných sulfidových tenkých vrstev metodami pulzní laserové depozice a rf magnetronovým naprašováním. Byla provedena studie kompozičních, morfologických a strukturních charakteristik použitím metod MEB-EDS, AFM, RBS, rentgenová difrakce a Ramanova spektroskopie. Byly studovány některé optické vlastnosti připravených chalkogenidových filmů (propustnost, index lomu, optická šířka zakázaného pásu energií, atd.) a propagační módy při vlnových délkách 633, 1304 a 1540 nm technikou %22m-lines prism-coupling%22. Výsledky ukazují slibné perspektivy studovaných materiálů umocněné pozorováním fotoluminiscence erbia a thulia v dotovaných sulfidových vrstvách.
dcterms:title
Fabrication and characterization of amorphous Ga-Ge-Sb-S thin films. Fabrication and characterization of amorphous Ga-Ge-Sb-S thin films. Příprava a charakterizace amorfních tenkých vrstev Ga-Ge-Sb-S.
skos:prefLabel
Fabrication and characterization of amorphous Ga-Ge-Sb-S thin films. Příprava a charakterizace amorfních tenkých vrstev Ga-Ge-Sb-S. Fabrication and characterization of amorphous Ga-Ge-Sb-S thin films.
skos:notation
RIV/00216275:25310/06:00004193!RIV08-MSM-25310___
n3:strany
1-8
n3:aktivita
n5:P n5:Z
n3:aktivity
P(GA203/05/0524), P(LC523), Z(MSM0021627501)
n3:cisloPeriodika
-
n3:dodaniDat
n7:2008
n3:domaciTvurceVysledku
n8:3359301 n8:3446913 n8:8573476
n3:druhVysledku
n9:J
n3:duvernostUdaju
n13:S
n3:entitaPredkladatele
n17:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
475450
n3:idVysledku
RIV/00216275:25310/06:00004193
n3:jazykVysledku
n15:eng
n3:klicovaSlova
amorphous chalcogenides; thin films; pulsed laser deposition; sputtering
n3:klicoveSlovo
n4:sputtering n4:pulsed%20laser%20deposition n4:amorphous%20chalcogenides n4:thin%20films
n3:kodStatuVydavatele
US - Spojené státy americké
n3:kontrolniKodProRIV
[814C74AEF918]
n3:nazevZdroje
Proc. SPIE Int. Soc. Opt. Eng.
n3:obor
n16:CA
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
3
n3:pocetTvurcuVysledku
11
n3:projekt
n14:GA203%2F05%2F0524 n14:LC523
n3:rokUplatneniVysledku
n7:2006
n3:svazekPeriodika
5956
n3:tvurceVysledku
Adam, J.-I. Jedelský, Jaroslav Cardinal, T. Němec, Petr Frumar, Miloslav Bousquet, C. Duverger, C. Vinatier, P. Nazabal, Virginie Jacquier, B. Jurdyc, Am.
n3:zamer
n11:MSM0021627501
s:issn
0277-786X
s:numberOfPages
8
n19:organizacniJednotka
25310