This HTML5 document contains 62 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n22http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n5http://localhost/temp/predkladatel/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F00216224%3A14310%2F06%3A00016135%21RIV10-MSM-14310___/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n19https://schema.org/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n8http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F00216224%3A14310%2F06%3A00016135%21RIV10-MSM-14310___
rdf:type
n11:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
Nanokrystalické diamantové (NCD) vrstvy byly připraveny depozicí z plynné fáze (CVD) za nízkého tlaku v mikrovlnném plazmatu generovaném v reaktou typu ASTEX. Vrstvy byly připraveny na křemíkových substrátech s orientací (111) ze směsi metanu (9 %) a vodíku při teplotě substrátu 1090 K. Dodávaný mikrovlnný výkon (2,45 GHz) byl 850 W a pracovní tlak činil 7,5 kPa. Pro účel nukleace byl substrát vystaven vysokofrekvenčnímu výboji, který vytvářel samopředpětí -125 V. Připravené vrstvy vykazovaly velmi malou drsnost (kvadratická odchylka výšek 9,1 nm) a tvrdost a elastický modul dosahovaly hodnot 70 a 375 GPa. Optické konstanty byly určeny pomocí elipsometrie a měření reflexe a vyhodnoceny na základě Rayleigh-Riceovi teorie a disperzního modelu založeného na parametrizaci hustoty stavů. Depoziční rychlost byla 57 nm/min a to včetně 5 minutové nukleační fáze. Nanocrystalline diamond film was deposited by microwave CVD in the ASTeX type reactor on a mirror polished (111) oriented n-doped silicon substrate. The deposition mixture consisted of 9 % of methane in hydrogen. The applied microwave power (2.45 GHz)and pressure were 850 W and 7.5 kPa, respectively. The substrate temperature was 1 090 K. The diamond nucleation process was enhanced by rf induced dc self{bias of i125 V. The film exhibited very low roughness (rms of heights 9.1 nm). Its hardness and elastic modules were 70 and 375 GPa, respectively. The optical constants were determined by combination of spectroscopic ellipsometry and reflectometry employing the Rayleigh-Rice theory for the roughness and the dispersion model of optical constants based on the parameterization of densities of states. The deposition rate was 57 nm/min including the 5 min nucleation step. Nanokrystalické diamantové (NCD) vrstvy byly připraveny depozicí z plynné fáze (CVD) za nízkého tlaku v mikrovlnném plazmatu generovaném v reaktou typu ASTEX. Vrstvy byly připraveny na křemíkových substrátech s orientací (111) ze směsi metanu (9 %) a vodíku při teplotě substrátu 1090 K. Dodávaný mikrovlnný výkon (2,45 GHz) byl 850 W a pracovní tlak činil 7,5 kPa. Pro účel nukleace byl substrát vystaven vysokofrekvenčnímu výboji, který vytvářel samopředpětí -125 V. Připravené vrstvy vykazovaly velmi malou drsnost (kvadratická odchylka výšek 9,1 nm) a tvrdost a elastický modul dosahovaly hodnot 70 a 375 GPa. Optické konstanty byly určeny pomocí elipsometrie a měření reflexe a vyhodnoceny na základě Rayleigh-Riceovi teorie a disperzního modelu založeného na parametrizaci hustoty stavů. Depoziční rychlost byla 57 nm/min a to včetně 5 minutové nukleační fáze.
dcterms:title
Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX Nanocrystalline diamond films deposition by PECVD in ASTEX type microwave reactor Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX
skos:prefLabel
Nanocrystalline diamond films deposition by PECVD in ASTEX type microwave reactor Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX Depozice nanokrystalických diamantových vrstev metodou PECVD v mikrovlnném reaktoru typu ASTEX
skos:notation
RIV/00216224:14310/06:00016135!RIV10-MSM-14310___
n3:aktivita
n9:P n9:Z
n3:aktivity
P(GA106/05/0274), P(GA202/05/0607), Z(AV0Z20410507), Z(AV0Z20650511), Z(MSM0021622411), Z(MSM4977751303)
n3:dodaniDat
n8:2010
n3:domaciTvurceVysledku
n4:5136261 n4:5823803 n4:4205448 n4:1537539 n4:9412921 n4:8413789
n3:druhVysledku
n13:D
n3:duvernostUdaju
n21:S
n3:entitaPredkladatele
n14:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
470819
n3:idVysledku
RIV/00216224:14310/06:00016135
n3:jazykVysledku
n20:cze
n3:klicovaSlova
nanocrystalline diamond; PECVD; microwave discharge
n3:klicoveSlovo
n16:nanocrystalline%20diamond n16:PECVD n16:microwave%20discharge
n3:kontrolniKodProRIV
[845C0C1FCED3]
n3:mistoKonaniAkce
Hustopeče
n3:mistoVydani
Brno
n3:nazevZdroje
Moderní trendy ve fyzice plazmatu a pevných látek II
n3:obor
n10:BL
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
6
n3:pocetTvurcuVysledku
10
n3:projekt
n15:GA106%2F05%2F0274 n15:GA202%2F05%2F0607
n3:rokUplatneniVysledku
n8:2006
n3:tvurceVysledku
Rek, Antonín Jašek, Ondřej Klapetek, Petr Matějková, Jiřina Buršíková, Vilma Franta, Daniel Zajíčková, Lenka Karásková, Monika Frgala, Zdeněk Buršík, Jiří
n3:typAkce
n18:EUR
n3:zahajeniAkce
2006-01-01+01:00
n3:zamer
n12:AV0Z20410507 n12:MSM4977751303 n12:AV0Z20650511 n12:MSM0021622411
s:numberOfPages
6
n22:hasPublisher
Masarykova univerzita
n19:isbn
80-210-4195-1
n5:organizacniJednotka
14310