This HTML5 document contains 50 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/typAkce/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n10http://purl.org/net/nknouf/ns/bibtex#
n7http://localhost/temp/predkladatel/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/riv/tvurce/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/RIV%2F00216224%3A14310%2F04%3A00010934%21RIV08-MSM-14310___/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/zamer/
shttp://schema.org/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/vysledek/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/klicoveSlovo/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/duvernostUdaju/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/jazykVysledku/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/aktivita/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/druhVysledku/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/riv/obor/
n16http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:RIV%2F00216224%3A14310%2F04%3A00010934%21RIV08-MSM-14310___
rdf:type
n9:Vysledek skos:Concept
dcterms:description
We have studied nitrogen-doped silicon wafers (001) using triple-axis high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space map determines the type of dislocation loops and from cross section we can determine their radius and concentration. These parameters were combined with the results from infrared absorption spectroscopy method. We have studied nitrogen-doped silicon wafers (001) using triple-axis high-resolution X-ray diffraction (HRXRD). The reciprocal space intensity distributions from clusters, stacking faults and dislocation loops were modelled using the Krivoglaz theory and a continuum model of the defect deformation field. Good agreement of the theory with the experimental data was achieved for the model of dislocation loops. The symmetry of measured reciprocal space map determines the type of dislocation loops and from cross section we can determine their radius and concentration. These parameters were combined with the results from infrared absorption spectroscopy method. Použitím rentgenové difrakce s vysokým rozlišením (HRXRD) jsme studovali dusíkem dopované křemíkové desky (001). Mapy rozložení intenzity v reciprokém prostoru od shluků defektů, vrstevných chyb a dislokačních smyček byly modelovány použitím Krivoglazovy teorie a kontinuálního modelu deformačního pole defektu. Dobré shody teorie s experimentálními daty bylo dosaženo pro dislokační smyčky. Symetrie naměřených map reciprokého prostoru určují typ dislokačních smyček a z radiálního řezu mapou můžeme určit jejich poloměr a koncentraci. Tyto výsledky jsme porovnaly s výsledky infračervené absorpční spektroskopie.
dcterms:title
X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem legovaných křemíkových deskách připravených Czochralského metodou
skos:prefLabel
Rentgenový difúzní rozptyl od defektů v dusíkem legovaných křemíkových deskách připravených Czochralského metodou X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers X-ray Diffuse Scattering from Defects in Nitrogen-doped Czochralski Grown Silicon Wafers
skos:notation
RIV/00216224:14310/04:00010934!RIV08-MSM-14310___
n3:strany
53
n3:aktivita
n15:Z
n3:aktivity
Z(MSM 143100002)
n3:dodaniDat
n16:2008
n3:domaciTvurceVysledku
n12:9680497 n12:2469103 n12:6724264 n12:9021329
n3:druhVysledku
n20:D
n3:duvernostUdaju
n13:S
n3:entitaPredkladatele
n17:predkladatel
n3:idSjednocenehoVysledku
595305
n3:idVysledku
RIV/00216224:14310/04:00010934
n3:jazykVysledku
n19:eng
n3:klicovaSlova
X-ray; Diffuse Scattering; Defect; Silicon; Nitrogen doping
n3:klicoveSlovo
n11:Diffuse%20Scattering n11:X-ray n11:Nitrogen%20doping n11:Silicon n11:Defect
n3:kontrolniKodProRIV
[A96353E16F1F]
n3:mistoKonaniAkce
Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika
n3:mistoVydani
Rožnov pod Radhoštěm, Česká republika
n3:nazevZdroje
Proceedings of The Ninth Scientific and Business Conference SILICON 2004
n3:obor
n18:BM
n3:pocetDomacichTvurcuVysledku
4
n3:pocetTvurcuVysledku
4
n3:rokUplatneniVysledku
n16:2004
n3:tvurceVysledku
Klang, Pavel Šik, Jan Holý, Václav Štoudek, Richard
n3:typAkce
n6:WRD
n3:zahajeniAkce
2004-01-01+01:00
n3:zamer
n5:MSM%20143100002
s:numberOfPages
1
n10:hasPublisher
TECON Scientific, s.r.o.
n7:organizacniJednotka
14310