This HTML5 document contains 49 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/TA01010078/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n22http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n21http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n18http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n19http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/

Statements

Subject Item
n2:TA01010078
rdf:type
n15:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=TA01010078
dcterms:description
1) Applied research of advanced semiconductor materials and structures and experimental development of technologies for their manufacturing, especially advanced technology of Silicon-On-Insulator (SOI) manufacturing and bonding of silicon wafers for SOI. 2) Applied research and development of advanced methods for characterization of bulk and surface properties of semiconductor materials and structures (IR checking of bonding quality, complex metrology of SOI, measurement of minor carrier lifetime). 1) Aplikovaný výzkum progresivních polovodičových materiálů a struktur a experimentální vývoj technologií jejich výroby se zaměřením na pokročilou technologii výroby Silicon-On-Insulator (SOI) a na bonding křemíkových desek pro SOI. 2) Aplikovaný výzkum a vývoj nových metod charakterizace objemových i povrchových vlastností polovodičových materiálů a struktur (IR kamera pro měření kvality bondingu, komplexní metrologie struktury SOI, měření doby života minoritních nositelů náboje).
dcterms:title
SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace
skos:notation
TA01010078
n3:aktivita
n9:TA
n3:celkovaStatniPodpora
n16:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n16:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2015-05-26+02:00
n3:druhSouteze
n17:VS
n3:duvernostUdaju
n5:S
n3:fazeProjektu
n8:100602742
n3:hlavniObor
n14:JJ
n3:hodnoceniProjektu
n11:U
n3:kategorie
n10:VV
n3:klicovaSlova
BGSOI; BESOI; BOX; bonding; grinding; Silicon; silicon wafer; etchning; polishing; semiconductors; SOI; SOI wafer
n3:partnetrHlavni
n20:ico%3A26821532
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
1
n3:pocetVysledkuRIV
16
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
16
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2013-02-28+01:00
n3:prideleniPodpory
n21:20110001
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n19:2013
n3:sberDatUdajeProjZameru
n19:2014
n3:soutez
n18:STA02011TA01
n3:statusZobrazovaneFaze
n6:DUU
n3:typPojektu
n22:P
n3:ukonceniReseni
2013-12-31+01:00
n3:vedlejsiObor
n14:BM n14:JA
n3:zahajeniReseni
2011-01-01+01:00
n3:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
The main factual results (G-functional sample / prototype Z-proven technology) have been met at a high technical level and to the extent necessary for the successful implementation of the project in excess of the original assignment. Two P- patents weren´t obtained by the date of the final proceedings. Hlavní věcné výsledky (G-funkční vzorek/prototyp, Z-ověřená technologie) byly splněny na vysoké technické úrovni a v rozsahu potřebném pro úspěšnou realizaci projektu překračujícím původní zadání. Dva výsledky druhu P-patent nebyly dosaženy k datu závěrečného oponentního řízení.
n3:zivotniCyklusProjektu
n12:ZBKU
n3:klicoveSlovo
silicon wafer BOX polishing grinding BGSOI bonding SOI Silicon BESOI etchning semiconductors