This HTML5 document contains 40 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/ME+834/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n22http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n19http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n10http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:ME+834
rdf:type
n7:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=ME 834
dcterms:description
výzkum růstových mechanismů, mikrostruktury elektronových a optických vlastností hetero - a nanostruktur polovodičů A3B5 pěstovaných na strukturně nepřizpůsobených podložkách, korelace struktury a fyzikálních vlastností research of growth mechanisms , microstructure of electron and optical features of hetero - nanostructures of semiconductores A3B5 grown on lattice mismatched surfaces, corelation of structural and physical properties
dcterms:title
Růst nanostruktur/heterostruktur polovodičů A3B5 na mřížkově nepřizpůsobených podložkách III-V nanostructures/heterostructures grown on lattice mismatechd substrates
skos:notation
ME 834
n3:aktivita
n16:ME
n3:celkovaStatniPodpora
n4:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n4:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2008-10-27+01:00
n3:druhSouteze
n11:VS
n3:duvernostUdaju
n8:S
n3:fazeProjektu
n22:71803867
n3:hlavniObor
n15:JA
n3:hodnoceniProjektu
n21:V
n3:kategorie
n20:NV
n3:klicovaSlova
heterostructures, nanostructures, growth mechanism, semiconductor A3B5, lattice mismatcehd surfaces
n3:partnetrHlavni
n9:ico%3A67985882
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
0
n3:pocetVysledkuRIV
2
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
2
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2007-03-26+02:00
n3:prideleniPodpory
n17:1+016%2F2006-32
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n10:2007
n3:sberDatUdajeProjZameru
n10:2008
n3:soutez
n19:SMSM200600ME1
n3:statusZobrazovaneFaze
n18:DUU
n3:typPojektu
n5:P
n3:ukonceniReseni
2007-12-31+01:00
n3:zahajeniReseni
2006-03-01+01:00
n3:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
The technology&properties of porous InP,GaAs&GaP substrates intended for subsequent non izoperiodical epitaxial growth was studied.The further growth by MOVPE of InAs buffer layers obtained growth&serving as transitional layer for higher quality Byla zkoumána příprava a vlastnosti porézních podložek InP,GaAs a GaP pro následný neizoperiodický epitaxní růst+studována tvorba přechod. vrstev InAs při velmi nízkých teplotách pro následný růst kvalit. vrstev InAs pěstov. metodou MOVPE na substr.GaAs.
n3:zivotniCyklusProjektu
n13:ZKU
n3:klicoveSlovo
growth mechanism semiconductor A3B5 heterostructures nanostructures