This HTML5 document contains 38 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n19http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n9http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/LH12236/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/

Statements

Subject Item
n2:LH12236
rdf:type
n6:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=LH12236
dcterms:description
Projekt je řešen ve spolupráci s kolegy z Ústavu fyziky polovodičů, Sibiřské oddělení Ruské akademie věd, v Novosibirsku. Z technologického hlediska se zaměříme především na funkcionalizaci povrchu nanočástic a na metody optimálního zabudování nanočástic do tenkých vrstev hydrogenovaného amorfního křemíku a PIN přechodů. Z experimentálního hlediska bude hlavní důraz kladen na studium defektů v zakázanem pásu a-Si:H pomocí měření spekter optické absorpce a fotoproudu, studium směření účinnosti photovoltaického jevu a elektroluminiscence. Z teoretického hlediska bude položen důraz na výzkum takových jevů, jakými je vliv přítomnosti kvantových nanostruktur na hustotu stavů v zakázaném pásu a-Si:H. Dále budeme porovnávat výsledky teoretického modelování přenosu náboje funkcionalizovaným povrchem nanočástic s naměřenými optickými spektry. Získané výsledky pomohou porozumět procesům konverze světla ve fotovoltaických součástkách a elektroluminiscenčních diodách vyrobených na bázi PIN tenkovrstvého křemíku We want to explain the influence of the technological process of preparation of the samples on the transfer of electronic charge or of the electronic excitation energy between individual elements of the semiconductor nanostructures in the materials of the type of InAs, GaN or Si and Ge. In the theoretical work we want to explain the influence of the magnitude of the nanocrystalline particles and the influence of the processes of the electron scattering on phonons in the transfer of electronic charge and energy in the nanostructures. We expect that the obtained knowledge will help us to understand the processes of the conversion of the light in the photovoltaic devices and also to understand the origin of the dark current in the photodetectors of the infrared light based on the quantum dots. We also expect that the gained knowledge will help us to better understand the photoluminescence and electroluminescence of semiconductors with indirect gap , like Si and diamond.
dcterms:title
Quantum size effect in optoelectronic properties of nanostructures embedded in semiconductor layers. Kvantový rozměrový efekt v polovodičových nanostrukturách pro optoelektroniku.
skos:notation
LH12236
n3:aktivita
n5:LH
n3:celkovaStatniPodpora
n14:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n14:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2015-02-16+01:00
n3:druhSouteze
n8:VS
n3:duvernostUdaju
n15:S
n3:fazeProjektu
n11:101048198
n3:hlavniObor
n13:BH
n3:kategorie
n17:ZV
n3:klicovaSlova
charge transfer; semiconductor nanostructures; light conversion; quantum dots
n3:partnetrHlavni
n19:ico%3A68378271
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
0
n3:pocetVysledkuRIV
17
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
17
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2014-03-06+01:00
n3:prideleniPodpory
n4:MSMT-6805%2F2013-311
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n9:2015
n3:sberDatUdajeProjZameru
n9:2015
n3:soutez
n7:SMSM2012LH2
n3:statusZobrazovaneFaze
n21:DRRVK
n3:typPojektu
n20:P
n3:ukonceniReseni
2015-12-31+01:00
n3:vedlejsiObor
n13:JA n13:BM
n3:zahajeniReseni
2012-03-01+01:00
n3:zivotniCyklusProjektu
n18:ZBBK
n3:klicoveSlovo
charge transfer light conversion semiconductor nanostructures