This HTML5 document contains 42 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n22http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/IAA100100902/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n21http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/

Statements

Subject Item
n2:IAA100100902
rdf:type
n8:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=IAA100100902
dcterms:description
Ultrafast conductivity in semiconductors and the related nanoscopic charge transport are the key issues for the development of optoelectronic applications. Time-resolved optical pump – THz probe experiments constitute a contact-free method of the study of these processes. In semiconductors the probing radiation exhibits a strong interaction with free or weakly localized mobile charges. Within the proposed project we will study (i) picosecond and femtosecond response of charge carriers in semiconductor films for ultrafast optoelectronics (in semiconductors with small gap and ultrafast carrier trapping) and (ii) nanoscopic transport of charges immediately after photo-excitation in disordered semiconducting systems for solar cell technologies (nanostructured Si, donor-acceptor organic films). We will develop adequate models for the interpretation of our experimental data which are expected to improve the overall understanding of the fast processes in disordered systems. Ultrarychlá odezva vodivosti v polovodičích a s ní spojený nanoskopický transport náboje představují jednu z klíčových otázek pro rozvoj optoelektronických aplikací. Časově rozlišený experiment optické excitace a terahertzového sondování představuje bezkontaktní metodu studia těchto procesů. Sondovací záření silně interaguje zejména s volnými nebo slabě lokalizovanými pohyblivými náboji. V rámci navrhovaného projektu budeme studovat (i) pikosekundovou a femtosekundovou odezvu nositelů náboje v polovodivých vrstvách pro ultrarychlou optoelektroniku (v polovodičích s malým gapem a ultrarychlým záchytem elektronů) a (ii) nanoskopický transport náboje bezprostředně po excitaci fs pulsem v neuspořádaných polovodivých systémech pro technologii solárních článků (nanostrukturovaný Si, donor-akceptorové organické filmy). Pro interpretaci výsledků navrhneme adekvátní modely, kterými chceme přispět k celkovému pochopení rychlých procesů v neuspořáných systémech.
dcterms:title
Studium ultrarychlé vodivosti a transportu náboje v tenkých polovodivých vrstvách pomocí terahertzové spektroskopie Study of ultrafast photoconductivity and charge transport in thin semiconducting layers using terahertz spectroscopy
skos:notation
IAA100100902
n3:aktivita
n4:IA
n3:celkovaStatniPodpora
n11:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n11:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2013-06-28+02:00
n3:druhSouteze
n12:VS
n3:duvernostUdaju
n16:S
n3:fazeProjektu
n7:91834527
n3:hlavniObor
n10:BM
n3:hodnoceniProjektu
n18:U
n3:kategorie
n15:ZV
n3:klicovaSlova
photoconductivity; charge carrier dynamics; terahertz; time-resolved spectroscopy; ultrafast semiconductors; disordered semiconductors; thin films
n3:partnetrHlavni
n14:ico%3A68378271
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
0
n3:pocetVysledkuRIV
15
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
15
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2011-03-18+01:00
n3:prideleniPodpory
n6:IAA100100902
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n21:2011
n3:sberDatUdajeProjZameru
n21:2012
n3:soutez
n20:SAV02009-A
n3:statusZobrazovaneFaze
n9:DUU
n3:typPojektu
n22:P
n3:ukonceniReseni
2011-12-31+01:00
n3:zahajeniReseni
2009-01-01+01:00
n3:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
Byl vyvinut model nanoskopického transportu náboje a vysvěleny ultrarychlé transportní jevy v nanostrukturovaných TiO2, ZnO pokrytých fotocitlivým barvivem, v porézním TiO2, v nanokrystalickém CdS, v mikrokrystalickém Si a v těžkými ionty ozářeném InGaAs A nanoscopic model of charge transport was developed and ultrafast transport phenomena in nanostructured photosensitized TiO2 and ZnO, mesoporous TiO2, nanocrystalline CdS, microcrystalline Si and heavy-ion irradiated InGaAs were explained.
n3:zivotniCyklusProjektu
n19:ZBKU
n3:klicoveSlovo
ultrafast semiconductors terahertz time-resolved spectroscopy charge carrier dynamics disordered semiconductors photoconductivity