This HTML5 document contains 41 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GP14-16549P/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n19http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n11http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:GP14-16549P
rdf:type
n18:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GP14-16549P
dcterms:description
Tento projekt se zabývá základním pochopením růstu diamantu na GaN substrátech (AlGaN/GaN na Si nebo safíru a kovových kontaktech). Odlišné metody nukleace a zárodkování budou využity pro inicializaci růstu diamantu. Růst vrstev bude realizován v mikrovlnném plazmovém CVD systému s fokusovanou plazmou a nebo s povrchovou vlnou. Řízení vnitřních pnutí způsobených odlišnými krystalografickými a teplotními parametry diamantu a GaN bude prováděno optimalizací procesních parametrů (zejména depoziční teplotou a složením pracovní směsi plynů) a morfologií nanášené vrstvy. Indukovaná pnutí budou charakterizována pomocí Ramanovi spektroskopie a XRD měření. Připravené elektricky vodivé kanály a HEMT tranzistory na diamant-GaN heterostrukturách budou zkoumány pomocí měření I-V charakteristik. Současně budou matematicky modelována pnutí a disipace tepla za účelem lepší charakterizace a pochopení elektronických a materiálových vlastností hybridních diamant-GaN systémů. Výsledky projektu by měly poskytnout nová řešení při přípravě vysoko-výkonových a vysoko-frekvenčních elektronických prvků. This project focuses on fundamental understanding of the diamond growth (DG) on GaN substrates (AlGaN/GaN on Si or sapphire, and metal contacts). Different nucleation and seeding methods will be employed to initialize the DG. The DG will be done by cavity-focused or linear-antenna microwave plasma CVD process. The induced strain due to the crystallographic and thermal mismatch between diamond and GaN will be engineered by process conditions (mainly deposition temperature and gas composition) and by layer character (nano- or poly-crystalline grains, porous structure, thickness). The induced strain will be characterized by Raman and XRD measurements. Fabricated electrically-conductive channels and HEMT transistors on diamond-GaN heterostructures will be investigated by variety of I-V measurements. Simultaneously, strain and heat dissipation FEM simulations will be provided to better characterize and understand the electronic and material properties of diamond-GaN hybrid system. The project findings can offer new solutions for high-power and high-frequency electronic devices.
dcterms:title
Ladění elektrických vlastností hybridních struktur diamantu a galium nitridu řízenou optimalizací vnitřních pnutí Electronic Performance Enhancement of Diamond-GaN Hybrid Structures Using Engineered Strains
skos:notation
GP14-16549P
n3:aktivita
n19:GP
n3:celkovaStatniPodpora
n4:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n4:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2015-02-09+01:00
n3:druhSouteze
n8:VS
n3:duvernostUdaju
n15:S
n3:fazeProjektu
n7:100993576
n3:hlavniObor
n14:BM
n3:kategorie
n10:ZV
n3:klicovaSlova
diamond films, microwave plasma chemical vapor deposition, AlGaN/GaN HEMT transistors, heterostructures, strain engineering, heat dissipation, sensors
n3:partnetrHlavni
n6:ico%3A68378271
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
0
n3:pocetVysledkuRIV
3
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
3
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2014-04-07+02:00
n3:prideleniPodpory
n20:14-16549P
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n11:2015
n3:sberDatUdajeProjZameru
n11:2015
n3:soutez
n16:SGA0201400003
n3:statusZobrazovaneFaze
n13:DRRVB
n3:typPojektu
n21:P
n3:ukonceniReseni
2016-12-31+01:00
n3:vedlejsiObor
n14:JA n14:BL
n3:zahajeniReseni
2014-01-01+01:00
n3:zivotniCyklusProjektu
n12:ZB
n3:klicoveSlovo
heat dissipation strain engineering diamond films heterostructures microwave plasma chemical vapor deposition AlGaN/GaN HEMT transistors