This HTML5 document contains 40 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n22http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GP102%2F08%2FP617/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n7http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:GP102%2F08%2FP617
rdf:type
n6:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GP102/08/P617
dcterms:description
Vysoce čisté vrstvy InP budou připraveny metodou kapalné epitaxe s příměsí prvků vzácných zemin (RE) do růstové taveniny. RE v růstové tavenině getrují mělké příměsi. Přednostně jsou getrovány donorové příměsi. Při zvyšování obsahu RE v tavenině má přednostní getrování donorů za následek změnu vodivosti z typu n na typ p. Takto můžeme připravit vrstvy typu p s významně nižšími koncentracemi volných nosičů. Tyto vrstvy jsou vhodné pro přípravu Schottkyho kontaktů s vysokou výškou bariéry. Tlusté vrstvy typu p s kvalitními Schottkyho kontakty mohou nalézt využití ve strukturách pro detekci ionizujícího záření. Pochopení vzájemného vztahu mezi elektrickými a optickými měřeními a chemickou analýzou vrstev provedenou metodou SIMS napomůže stanovení dominantních příměsí a povede ke zlepšení technologie růstu. Bude podrobně popsán proces getrace spolu s vysvětlením změny vodivostního typu. High-purity InP LPE layers with rare-earth (RE) admixtures will be prepared. Introduction of RE in the melt leads to simultaneous gettering of shallow impurities. Donor impurities are preferentially gettered. The preferential gettering results in conductivity conversion from n- to p-type when increasing the RE content in the melt. P-type layers with substantially lowered free carrier concentrations can be grown. These layers are suitable for preparation of a Schottky contact with a large barrier height. Thick layers of p-type conductivity with a high quality Schottky contact can be applied in ionizing radiation detector structures. Results of the electrical and optical measurements will be correlated with chemical analysis performed by SIMS in order to designate the dominant residual impurities and improve the growth technology. Detailed description of the gettering phenomenon will be given together with the explenation of the conductivity conversion.
dcterms:title
InP Epitaxial Layers Prepared from Rare-Earth Treated Melts: Growth, Characterization, and Application in Radiation Detectors. Epitaxní vrstvy InP připravené z taveniny obsahující prvky vzácných zemin: růst, charakterizace a aplikace v detektorech záření.
skos:notation
GP102/08/P617
n3:aktivita
n14:GP
n3:celkovaStatniPodpora
n8:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n8:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2015-03-20+01:00
n3:druhSouteze
n13:VS
n3:duvernostUdaju
n19:S
n3:fazeProjektu
n21:82379560
n3:hlavniObor
n15:JA
n3:hodnoceniProjektu
n22:V
n3:kategorie
n5:ZV
n3:klicovaSlova
III-V semiconductors; liquid phase epitaxy; rare-earth elements
n3:partnetrHlavni
n10:ico%3A67985882
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
0
n3:pocetVysledkuRIV
6
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
6
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2010-04-16+02:00
n3:prideleniPodpory
n9:102%2F08%2FP617
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n7:2010
n3:sberDatUdajeProjZameru
n7:2011
n3:soutez
n16:SGA02008GA1PD
n3:statusZobrazovaneFaze
n20:DUU
n3:typPojektu
n17:P
n3:ukonceniReseni
2010-12-31+01:00
n3:vedlejsiObor
n15:JB n15:JJ
n3:zahajeniReseni
2008-01-01+01:00
n3:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
V rámci projektu jsme se věnovali přípravě, charakterizaci a aplikaci epitaxních vrstev InP připravených s přídavkem vzácných zemin (RE) do kapalné fáze. Byla dokončena jedinečná studie vlivu deseti různých RE a jejich oxidů na vlastnosti epitaxních vrstev InP. Tato studie byla motivována neexistencí systematického výzkumu v oblasti III-V polovodičů připravených kapalnou epitaxí s RE v  růst The project was devoted to the preparation, characterization, and application of InP epitaxial layers prepared from rare-earth (RE) treated liquid phase. A unique study of the impact of ten different REs and their oxides on the properties of InP epitaxial layers was completed. This study was motivated by the lack of systematic research in the field of liquid phase epitaxy (LPE) grown III-V semico
n3:zivotniCyklusProjektu
n4:ZBKU
n3:klicoveSlovo
liquid phase epitaxy III-V semiconductors