This HTML5 document contains 42 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n22http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GAP102%2F10%2F1201/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n5http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:GAP102%2F10%2F1201
rdf:type
n16:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GAP102/10/1201
dcterms:description
This project aims at the development of semiconductor Quantum Dots (QDs) based on InAs/GaAs and later from GaSb, using MOVPE. Optical and electrical properties of QD structures are often determined more by the size and shape, than by the material of the QDs, because of the comparable size of QDs and de Broglie´s wavelength for electrons and holes. The type of the structure, (number of QD layers and their separation in the vertically correlated structures) will play important role in the optimisation of QD structure parameters. The above mentioned properties are determined by the technology of preparation. The QD parameters will be adjusted by changing the growth rate, precursor ratio, time regime of the growth and by other technological parameters like the substrate orientation. The dominant application of QD is in the field of light sources. In the frame of this project we want to investigate QD structures also for use in the detectors and eventually memories. Cílem tohoto projektu je řízená příprava polovodičových kvantových teček (QD) na bázi InAs/GaAs, později eventuálně i GaSb, metodou organokovové epitaxe (MOVPE). Důležité optické a elektrické vlastnosti struktur s QD jsou, vzhledem k srovnatelné velikosti QD s de Broglieho vlnovou délkou elektronů a děr, určovány jejich velikostí a tvarem často více než vlastním materiálem z něhož jsou QD připraveny. Typ struktury (hustota QD, počet a vzdálenost vrstev s QD ve vertikálně uspořádaných strukturách) bude také hrát velkou roli při optimalizaci parametrů struktur. Výše popsané parametry určuje technologický postup přípravy. Tyto parametry QD hodláme řídit teplotou a rychlostí růstu, poměrem růstových prekursorů, časovým průběhem epitaxe a dalšími technologickými parametry (např. orientací a přípravou substrátu). Dosud je převládající využití QD v oblasti zdrojů záření, v rámci tohoto projektu se chceme také věnovat optimalizaci QD struktur pro detektory, případně paměti.
dcterms:title
Kvantové tečky pro detektory a jiné součástky Quantum dots for detectors and other devices
skos:notation
GAP102/10/1201
n3:aktivita
n15:GA
n3:celkovaStatniPodpora
n12:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n12:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2014-01-30+01:00
n3:druhSouteze
n22:VS
n3:duvernostUdaju
n4:S
n3:fazeProjektu
n19:92536440
n3:hlavniObor
n10:JA
n3:hodnoceniProjektu
n14:V
n3:kategorie
n11:ZV
n3:klicovaSlova
Quantum; dots; GaAs/InAs; MOVPE; photoluminiscence; AFM
n3:partnetrHlavni
n17:ico%3A68378271
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
0
n3:pocetVysledkuRIV
15
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
15
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2012-03-30+02:00
n3:prideleniPodpory
n9:P102%2F10%2F1201
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n5:2012
n3:sberDatUdajeProjZameru
n5:2013
n3:soutez
n20:SGA02010GA-ST
n3:statusZobrazovaneFaze
n18:DUU
n3:typPojektu
n8:P
n3:ukonceniReseni
2012-12-31+01:00
n3:vedlejsiObor
n10:BM
n3:zahajeniReseni
2010-01-01+01:00
n3:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
Results ot he project correspond to planned aims. The team reached a number of valuable results in the field of design and measurement of parameters of quantum dots. Results are adequate to team size and project budget. The project results were published 7 times in peer-reviewed journals. The funds were used according to the GAČR rules. Výsledky řešení projektu odpovídají deklarovaným záměrům projektu. Bylo dosaženo řady hodnotných výsledků v oblasti přípravy a měření parametrů struktur kvantových teček. Výsledky jsou adekvátní velikosti týmu a rozpočtu projektu. Výsledky projektu byly publikovány mj. v 7 impaktovaných časopisech. Finanční prostředky byly čerpány podle pravidel GAČR.
n3:zivotniCyklusProjektu
n21:ZBKU
n3:klicoveSlovo
MOVPE Quantum dots GaAs/InAs photoluminiscence