This HTML5 document contains 40 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA202%2F09%2F0676/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n19http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n6http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:GA202%2F09%2F0676
rdf:type
n10:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA202/09/0676
dcterms:description
The aim of the grant proposal is to determine the impact of the QD overgrowth process on the structure and electronic properties of buried InAs/GaAs QD systems prepared by MOVPE and emitting around 1.55 mm. InxGa1-xAs and GaAs1-ySby capping layers will be used to keep the emission wavelength around 1.55 mm by protecting the QDs from drastic size changes during their overgrowth. The relations between the In content of the InxGa1-xAs capping layer, the surface reconstruction and the photoluminescence (PL) will be analyzed and the growth parameters optimized to achieve the desired wavelength and a high PL intensity. In the case of the GaAs1-ySby capping, the aim is the same. More over, the transition between the (spatially) direct band gap alignment (InAs QD /GaAs) and the indirect alignment (InAs QD/GaAs1-ySby, y > 14 %) will be studied both theoretically (using the envelope function formalism) and experimentally. The results will provide the Sb concentration necessary for obtaining a high intensity of the ground state PL. In addition, free QDs and QDs with thin SRLs will be covered by metallic overlayers - we expect changes of the electronic states of the QDs, depending on the work function of the metal. The metallization will also allow us to study the electric-field dependence of the PL and the electric properties of the heterostructure with the Schottky contact between the overlayer and the SRL. Cílem projektu je určit vliv překrytí InAs/GaAs kvantových teček (QD) připravených metodou MOVPE s emisí ~ 1,55 mikronu na jejich morfologii a elektronové stavy. Optimalizací parametrů InGaAs a GaAsSb krycích vrstev bude minimalizován nežádoucí modrý posuv luminiscence QD při jejich překrytí.
dcterms:title
Vliv krycích vrstev na elektronové stavy v kvantových tečkách Impact of capping layers on electronic states in quantum dots
skos:notation
GA202/09/0676
n3:aktivita
n19:GA
n3:celkovaStatniPodpora
n20:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n20:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2015-03-02+01:00
n3:druhSouteze
n15:VS
n3:duvernostUdaju
n9:S
n3:fazeProjektu
n17:91490914
n3:hlavniObor
n18:BM
n3:hodnoceniProjektu
n11:U
n3:kategorie
n8:ZV
n3:klicovaSlova
GaAs, InAs, elektronové stavy, kvantové tečky
n3:partnetrHlavni
n13:ico%3A68378271
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
2
n3:pocetVysledkuRIV
18
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
18
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2011-04-16+02:00
n3:prideleniPodpory
n7:202%2F09%2F0676
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n6:2011
n3:sberDatUdajeProjZameru
n6:2012
n3:soutez
n14:SGA02009GA-ST
n3:statusZobrazovaneFaze
n4:DUU
n3:typPojektu
n16:P
n3:ukonceniReseni
2011-12-31+01:00
n3:vedlejsiObor
n18:BH
n3:zahajeniReseni
2009-01-01+01:00
n3:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
Řešení projektu proběhlo podle plánu jak z hlediska odborného tak i z hlediska čerpání finančních prostředků. The project gone according to plan both in terms of expertise and in terms of disbursement of funds.
n3:zivotniCyklusProjektu
n12:ZBKU
n3:klicoveSlovo
elektronové stavy InAs GaAs