This HTML5 document contains 45 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA202%2F06%2F0049/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n22http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n6http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:GA202%2F06%2F0049
rdf:type
n9:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA202/06/0049
dcterms:description
We propose detailed atomic-scale study of heteroepitaxial growth of metals on Si surfaces based on using an advanced experimental approach: direct observation of the surface processes (in-vivo) during deposition by means of scanning tunneling microscopy (STM). The approach provides information on dynamics of microscopic processes which can not be obtained by in-situ STM measurements used so far. Changing rates of the processes by control of growth conditions (deposition rates, substrate temperature) allows to evaluate the role of mechanisms involved. Sequences of STM images will be utilized for growth models, which will be verified using kinetic Monte Carlo (KMC) simulations of growth characteristics. Our study will concentrate on the surface Si(100)-2×1 and metals which create 1D structures: (a) investigation growth of single metals (Al, In, Sn) with the focus on explanation of mechanisms on atomistic level, and comparison of trends for different metals, (b) exploring formation of rows Projekt se zabývá studiem heteroepitaxe kovů na površích Si na atomární úrovni pomocí rastrovací tunelovací mikroskopie (STM) užitím nové metodiky - přímého pozorování (in-vivo) během depozice. Metoda poskytuje informace o dynamice mikroskopických procesů, které nemohou být získány pomocí dosavadních in-situ STM měřeními. Řízení podmínek depozice (rychlost napařování, teplota substrátu) umožní ohodnotit vliv přítomných mechanismů na epitaxní růst. Získané sekvence snímků povrchu budou využity pro vytvoření fyzikálních modelů růstu, které budou ověřeny pomocí kinetických Monte Carlo (KMC) simulací růstových charakteristik. Soustředíme se na povrch Si(100)-2x1 a kovy tvořící 1D struktury. Budeme: a) vyšetřovat růst jednotlivých kovů (Al, In, Sn) s cílem objasnit mikroskopické mechanismy a srovnat trendy pro různé kovy, b) zkoumat tvorbu řádků dimérů obsahujících dva kovy (In-Sn, Al-Sn). Dynamická měření doplněná simulacemi podstatně přispějí k pochopení vzniku nanostruktur na rekostruovaných
dcterms:title
Studium atomárních procesů při růstu kovových nanostruktur na površích Si(100) pomocí in-vivo STM In-vivo STM study of atomically resolved processes at growth of metal nanostructures on Si(100) surfaces
skos:notation
GA202/06/0049
n3:aktivita
n22:GA
n3:celkovaStatniPodpora
n5:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n5:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2009-10-22+02:00
n3:druhSouteze
n12:VS
n3:duvernostUdaju
n15:S
n3:fazeProjektu
n21:68674220
n3:hlavniObor
n17:BM
n3:hodnoceniProjektu
n18:V
n3:kategorie
n13:ZV
n3:klicovaSlova
surface diffusion; nucleation; island growth; heteroepitaxy; Si; STM; in-vivo; simulation; kinetic Monte Ca
n3:partnetrHlavni
n20:orjk%3A11320
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
1
n3:pocetVysledkuRIV
10
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
10
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2008-04-25+02:00
n3:prideleniPodpory
n14:202%2F06%2F0049
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n6:2008
n3:sberDatUdajeProjZameru
n6:2009
n3:soutez
n11:SGA02006GA-ST
n3:statusZobrazovaneFaze
n19:DUU
n3:typPojektu
n10:P
n3:ukonceniReseni
2008-12-31+01:00
n3:vedlejsiObor
n17:BE
n3:zahajeniReseni
2006-01-01+01:00
n3:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
Projekt se zabýval růstem a elektronovou strukturou 1D atomárních řetízků kovů na povrchu Si(100)-2×1 pomocí rastrovací tunelové mikroskopie (STM), spektroskopie (STS) a kinetických Monte Carlo (KMC) simulací. Byl objeven a kvantitativně popsán vliv C-de The project was focused on growth and electron structure of 1D atomic metal chains on the Si(100)-2×1surface by means of scanning tunneling microscopy (STM), spectroscopy (STS) and kinetic Monte Carlo (KMC) simulations. A role of C-defects at nucleation
n3:zivotniCyklusProjektu
n7:ZBKU
n3:klicoveSlovo
STM nucleation Si island growth simulation heteroepitaxy surface diffusion in-vivo