This HTML5 document contains 36 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n21http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA202%2F04%2F0281/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n11http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:GA202%2F04%2F0281
rdf:type
n12:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA202/04/0281
dcterms:description
Při dopadu velmi pomalých elektronů o energii pod 20 - 30 eV na povrch pevné látky je míra jejich odrazu nepřímo úměrná lokální hustotě elektronových stavů, navázaných na dopadající vlnu. Sledováním odrazu lze tedy studovat strukturu energiových pásů v místě dopadu. Tento jev, experimentálně ověřený v oblasti difrakce pomalých elektronů, bude zkoumán ve své mikroskopické verzi s vysokým rozlišením a využit při studiu struktur s místními rozdíly v elektronických vlastnostech. Řízení energie dopadu elektronů v rastrovacím elektronovém mikroskopu a udržení vysokého rozlišení obrazu až do nejnižších energií umožní princip proměnné energie svazku s bržděním těsně nad povrchem v katodové čočce. Budou provedeny základní demonstrační experimenty a prokázána existence příslušného kontrastního mechanismu. Metoda pak bude aplikována na zobrazování hustoty rozložení dopantů v polovodiči při energii odpovídající příměsové hladině, kdy dochází ke snížení odrazu úměrně počtu příměsových atomů. When very slow electrons below 20 to 30 eV impact the solid surface, their reflection is inversely proportional to the local density of states, coupled to the incident wave, so that the energy band structure in the impact point can be studied. This phenomenon, verified by the low energy electron diffraction experiments, will be employed in its microscopic version at high resolution and applied to investigation of structures with locally variable electronic properties. Efficient control of the landing energy of electrons in the scanning electron microscope and preservation of a high resolution down to lowest energies will be provided by the beam deceleration closely above the surface within the cathode lens. Basic experiments will demonstrate the contrast mechanism and the imaging method will be applied to visualisation of the dopant distribution density in semiconductors at energies of their impurity levels, when the reflection drops proportionally to the number of impurity atoms.
dcterms:title
Mapping at a high spatial resolution of the local density of electron states via reflection of very slow electrons Mapování lokální hustoty stavů pomocí odrazu velmi pomalých elektronů při vysokém prostorovém rozlišení
skos:notation
GA202/04/0281
n4:aktivita
n13:GA
n4:celkovaStatniPodpora
n5:celkovaStatniPodpora
n4:celkoveNaklady
n5:celkoveNaklady
n4:datumDodatniDoRIV
2007-10-16+02:00
n4:druhSouteze
n7:VS
n4:duvernostUdaju
n8:S
n4:fazeProjektu
n14:2314728
n4:hlavniObor
n18:BM
n4:hodnoceniProjektu
n9:U
n4:kategorie
n6:ZV
n4:klicovaSlova
Neuvedeno.
n4:partnetrHlavni
n16:ico%3A68081731
n4:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n4:pocetPrijemcu
1
n4:pocetSpoluPrijemcu
0
n4:pocetVysledkuRIV
20
n4:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
20
n4:rokUkonceniPodpory
n11:2006
n4:rokZahajeniPodpory
n11:2004
n4:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n11:2006
n4:sberDatUdajeProjZameru
n11:2007
n4:soutez
n21:SGA02004GA-ST
n4:statusZobrazovaneFaze
n10:DUU
n4:typPojektu
n17:P
n4:vedlejsiObor
n18:JA n18:JB
n4:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
Mezi výsledky dosažené při řešení projektu patří, že byla experimentálně demonstrována metoda získávání kontrastu elektronické struktury preparátu v rastrovaných mikroskopických obrazech velmi pomalými elektrony, a to jak na dopovaných oblastech v polovo Results achieved when solving the project include: - method of acquiring in very low energy scanned electron micrographs the contrast of electronic structure of the sample has been experimentally demonstrated, both with doped areas in semiconductors and
n4:zivotniCyklusProjektu
n20:ZBKU