This HTML5 document contains 34 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n21http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA202%2F02%2F0628/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n11http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n19http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n10http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:GA202%2F02%2F0628
rdf:type
n13:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA202/02/0628
dcterms:description
Navrhovaný projekt představuje řešení vysoce aktuálního problému aplikace některých materiálů typu II-VI při přípravě kvantových detektorů záření. V současné době je mimořádný zájem o využití polovodičových materiálů typu II-VI zvláště CdTe a CdZnTe ke konstrukci matic detektorů gama záření využitelných v novodobé tomografii. Vysoké střední atomové číslo těchto materiálů ve spojení s vysokými pohyblivostmi elektronů a děr předurčují tyto materiály k detekčním aplikacím. Zatím jediným omezujícím parametrem jsou hluboká pasťová centra, která ochuzují sbíraný balík nosičů generovaný dopadem gama fotonů. Hluboká záchytná centra v CdTe a CdZnTe jsou spojována s elektricky aktivními bodovými defekty ležícími uprostřed pásu zakázaných energií, jejichžkoncentraci je nutné minimalizovat. Současně však musí dojít k silné kompenzaci mezi mělkými residuálními donory a akceptory, aby Fermiho mez byla lokalizována v blízkosti intrinsické Fermiho meze. Toho lze dosáhnout vhodnou temperací pod tlakem The proposed project deals with a solution of a highly important problem of applications of some II-VI materials for a fabrication of quantum detectors of radiation. Semiconducting II-VI materials, especially CdTe and CdZnTe are in the center of interestfor a construction of arrays of gamma ray detectors to be used in the state-of-the-art tomography. The high atomic number in connection with high mobilities of electrons and holes predetermines these materials for detector applications. The main limitingparameter are the deep trapping centers, which deplete the collected packet of carriers generated by the incident beam of gamma photons. The deep trapping centers in CdTe and CdZnTe are connected with electrically active native defects lying in the middle of the energy gap, which concentrations must be minimized. At the same time mutual strong compensation of shallow residual donors and acceptors must occurr to stabilize the Fermi level near its intrinsic position. This can be reached by proper
dcterms:title
Termodynamická rovnováha defektů a difuse v materiálech významných pro detekci záření gama Thermodynamic equilibrium of defects and diffusion in materials for detection of gamma radiation
skos:notation
GA202/02/0628
n4:aktivita
n19:GA
n4:celkovaStatniPodpora
n20:celkovaStatniPodpora
n4:celkoveNaklady
n20:celkoveNaklady
n4:datumDodatniDoRIV
2008-06-02+02:00
n4:druhSouteze
n15:VS
n4:duvernostUdaju
n11:S
n4:fazeProjektu
n6:1564456
n4:hlavniObor
n14:BJ
n4:hodnoceniProjektu
n5:V
n4:kategorie
n7:ZV
n4:klicovaSlova
Neuvedeno.
n4:partnetrHlavni
n21:orjk%3A11320
n4:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n4:pocetPrijemcu
1
n4:pocetSpoluPrijemcu
0
n4:pocetVysledkuRIV
21
n4:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
21
n4:rokUkonceniPodpory
n10:2004
n4:rokZahajeniPodpory
n10:2002
n4:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n10:2005
n4:sberDatUdajeProjZameru
n10:2005
n4:soutez
n12:SGA02002GA-ST
n4:statusZobrazovaneFaze
n18:DUU
n4:typPojektu
n9:P
n4:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
The work on the Project has concentrated on the optimization and characterization of CdTe and CdZnTe. We have finished the construction of the installation for growth and measurements of crystals and samples at high pressure up to 10 atm, which allows th Práce na projektu se soustředila na optimalizaci přípravy a charakterizaci materiálu CdTe a CdZnTe. Byla dokončena aparatura pro přípravu a měření krystalů a vzorků při vysokých tlacích až do tlaku 10 atm, která umožňuje překonat dosavadní omezení experi
n4:zivotniCyklusProjektu
n8:ZBKU