This HTML5 document contains 41 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n16http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA13-24635S/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n4http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:GA13-24635S
rdf:type
n14:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA13-24635S
dcterms:description
The surface electric charge deposited on the insulating barrier in dielectric barrier discharge (DBD) stabilizes plasma in the low-temperature (non-thermal) regime. At the same time it contributes to a recurrence of plasma channel at the same spot and its undesirable overheating. We propose to examine the pre-breakdown distribution of surface charge by examining the charge recombination process. To obtain statio-temporal distribution of the light emission from the recombination products, we propose to use time-correlated single photon counting (TCSPC). This allows to obtain sufficient sensitivity for the expected low-levels optical signal and sub-ns time resolution. For molecular gases the main recombination process is the dissociative attachment producing atomic radicals. Laser induced fluorescence (LIF) will be used exime atomic radicals formation dynamics. To improve LIF selectivity to the processes occurring directly on the dielectric surface, we will verify the gas excitation using the evanescent wave from the dielectric itself. Povrchový elektrický náboj deponovaný na izolační bariéru v dielektrickém bariérovém výboji (DBV) umožňuje jeho udržení v režimu nízkoteplotního (neizotermického) plazmatu. Současně však přispívá k opětovnému vzniku výboje na místě předcházejícího průrazu s postupným nežádoucím lokálním přehříváním oblasti. Předložený projekt navrhuje zkoumat předprůrazové rozložení povrchového náboje pomocí děje nábojové rekombinace, jenž předchází elektrický průraz v DBV. Pro získaní časo-prostorového rozložení světelné emise rekombinačních produktů použijeme časově korelované čtení jednotlivých fotonů (TCSPC). Tím získáme dostatečnou citlivost pro očekávanou nízkou úroveň optického záření a také časové rozlišení děje na sub-ns úrovni. Pro molekulární plyny je hlavním rekombinačním procesem disociativní záchyt za vzniku atomárních radikálů. Dynamiku jejich vzniku navrhujeme zkoumat pomocí laserem indukované fluorescence (LIF). Pro lepší selektivitu procesů probíhajících přímo na povrchu dielektrika navrhujeme ověřit možnost excitace plynu pomocí evanescentní vlny z povrchu samotného dielektrika.
dcterms:title
Spectroscopic studies of surface charge recombination in dielectric barrier discharges Spektroskopické studium rekombinace povrchového náboje v dielektrických bariérových výbojích
skos:notation
GA13-24635S
n3:aktivita
n10:GA
n3:celkovaStatniPodpora
n11:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n11:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2015-04-23+02:00
n3:druhSouteze
n5:VS
n3:duvernostUdaju
n17:S
n3:fazeProjektu
n19:100770661
n3:hlavniObor
n18:BL
n3:kategorie
n7:ZV
n3:klicovaSlova
Dielectric barrier discharge; surface charge; electric charge recombination; atomic radicals; laser induced fluorescence; LIF; time correllated single phonon counting; TCSPC; high-speed camera imaging
n3:partnetrHlavni
n12:orjk%3A14310
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
0
n3:pocetVysledkuRIV
11
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
11
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2014-03-31+02:00
n3:prideleniPodpory
n9:13-24635S
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n4:2015
n3:sberDatUdajeProjZameru
n4:2015
n3:soutez
n8:SGA0201300005
n3:statusZobrazovaneFaze
n15:DRRVB
n3:typPojektu
n21:P
n3:ukonceniReseni
2016-12-31+01:00
n3:zahajeniReseni
2013-02-01+01:00
n3:zivotniCyklusProjektu
n16:ZBB
n3:klicoveSlovo
laser induced fluorescence time correllated single phonon counting TCSPC atomic radicals LIF electric charge recombination surface charge Dielectric barrier discharge