This HTML5 document contains 39 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n22http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n17http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA102%2F06%2F0258/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n19http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n12http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n7http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n21http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n11http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/

Statements

Subject Item
n2:GA102%2F06%2F0258
rdf:type
n20:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA102/06/0258
dcterms:description
Zájem o nechlazené přenosné detektory záření gama prudce narostl během posledních let vzhledem k aplikacím při zobrazování s vysokým rozlišením v medicíně a v oblasti bezpečnosti. Cílem projektu je příprava vysoce kvalitních semiizolačních krystalů CdTe a CdZnTe pro detektory záření gama metodou tuhnutí v teplotním gradientu. Pro růst krystalů bude použita unikátní aparatura vyvinutá ve Fyzikálním ústavu UK umožňující plnou kontrolu tlaku par Cd během celého procesu růstu až do tlaku 8atm. Vzhledem k tomu, že inkluze a nehomogenity mřížky působí jako pastˇová a rekombinační centra, lze očekávat, ze zvýšení krystalografické kvality povede k vysokým hodnotám součinu pohyblivosti a doby živita nosičů proudu. Naše teoretické výsledky ukazují, že reakce mezi bodovými defekty, které mění jejich elektrický stav, by měly umožnit přípravu vysokodporového materiálu s velmi nízkou hodnotou koncentrace hluboké hladiny v blízkosti středu zakázaného pásu, která zásadním způsobem ovlivňuje dobu života volných The interest in non-cooled and portable spectrometric X and gamma-ray detectors increased remarkably in the last years due to applications in high resolution medical imaging of human organs and in security applications. The project is aimed at preparation of semiinsulating detector-grade CdTe and CdZnTe crystals with high crystallographic quality by vertical gradient freeze method in an original middle pressure setup enabling full control of Cd overpressure up to 8atm. Due to the fact, that each inclusion or inhomogeneity of crystal lattice acts as a trap or recombination center, it is expected, that the increased crystallographic quality will lead to high values of mobility-lifetime product of electrons and holes. Our theoretical results show, that defect reactions, which change the electric state of input/output species should allow to produce the semi-insulating CdTe also in the case of significantly reduced density of deep level, which determines the lifetime of carriers. This
dcterms:title
High quality semiinsulating CdTe for gamma ray detectors Vysoce kvalitní semiizolační CdTe pro detektory záření gama
skos:notation
GA102/06/0258
n4:aktivita
n8:GA
n4:celkovaStatniPodpora
n5:celkovaStatniPodpora
n4:celkoveNaklady
n5:celkoveNaklady
n4:datumDodatniDoRIV
2009-10-22+02:00
n4:druhSouteze
n10:VS
n4:duvernostUdaju
n12:S
n4:fazeProjektu
n15:68673825
n4:hlavniObor
n7:BM
n4:hodnoceniProjektu
n17:V
n4:kategorie
n14:ZV
n4:klicovaSlova
CdTe; gamma ray detectors; defects
n4:partnetrHlavni
n9:orjk%3A11320
n4:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n4:pocetPrijemcu
1
n4:pocetSpoluPrijemcu
0
n4:pocetVysledkuRIV
20
n4:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
20
n4:posledniUvolneniVMinulemRoce
2008-04-25+02:00
n4:prideleniPodpory
n19:102%2F06%2F0258
n4:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n11:2008
n4:sberDatUdajeProjZameru
n11:2009
n4:soutez
n21:SGA02006GA-ST
n4:statusZobrazovaneFaze
n6:DUU
n4:typPojektu
n22:P
n4:ukonceniReseni
2008-12-31+01:00
n4:vedlejsiObor
n7:DL
n4:zahajeniReseni
2006-01-01+01:00
n4:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
Byl proveden systematický výzkum vlivu podmínek temperace (teplota, tlak par Cd nebo Te, doba temperace a způsob chlazení) na elektrické a optické vlastnosti CdTe:In. Podařilo se zvýšit stupeň pochopení procesů probíhajících během chlazení krystalů a vyp A systematic research of influence of annealing conditions (temperature, vapor pressure of Cd or Te, annealing time and cooling regime) on electrical and optical properties of CdTe:In was performed. The degree of understanding of processes occurring duri
n4:zivotniCyklusProjektu
n13:ZBKU
n4:klicoveSlovo
gamma ray detectors CdTe