This HTML5 document contains 41 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n15http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/prideleniPodpory/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n10http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n18http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n20http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA102%2F06%2F0153/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n17http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/

Statements

Subject Item
n2:GA102%2F06%2F0153
rdf:type
n19:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA102/06/0153
dcterms:description
The aim of the project proposal is the utilization of InP epilayers with the addition of rare earths into the growth melt for the detection of ionizing radiation . This novel approach, in the context of radiation detection, enables to prepare pure undoped p- type InP layers and generates knowledge relevant for both the basic research and applications. Two types of detector structures will be prepared and investigated: A) Structure based on bulk semi-insulating (SI) InP material with a thin p-type InP contact layer for X- and ł- ray detection. SI-InP bulk crystals will be prepared by Czochralski method with various dopants and regimes of temperature annealing and the contact p-InP layer will be grown by liquid phase epitaxy (LPE). B) Structure base on thick p-InP layer for +- particle and soft X- ray detection. P-type InP layers with thickness > 10/um and impurity concentrations < 1015cm -3 will be prepared by LPE on n-type InP Czochralski grown substrate. Suitable metal contacts will be Cílem předkládaného projektu je využití InP epitaxních vrstev pěstovaných s přídavkem vzácných zemin do růstové taveniny pro detekci ionizujícího záření . Tento původní přístup, v kontextu radiačních detektorů, umožňující připravit čisté nedotované InP vrstvy typu p, přináší poznatky, které se uplatní nejen v základním výzkumu, ale i při jeho aplikacích. Budou připraveny a studovány dva typy struktur: A) Struktury na bázi semi-izolačního (SI) monokrystalického InP s kontaktovací tenkou p-InP vrstvou pro detekci X- a ł- záření. SI-InP bude připraven metodou Czochralského za přítomnosti vhodných dopantů a následným tepelným formováním, kontaktní p-InP vrstva epitaxním růstem z kapalné fáze (LPE). B) Struktury na bázi p-InP vrstev pro detekci + částic a měkkého X-  záření. Vrstvy s tloušťkami nad 10/um a koncentracemi elektricky aktivních nečistot pod 1015cm-3  budou připraveny metodou LPE na monokrystalických n-InP podložkách. Vhodné kovové kontakty budou pro oba typy struktur vakuově
dcterms:title
Využití specifických vlastností vzácných zemin při přípravě detektorových struktur na bázi InP Utilization of specific properties of rare earths in preparation of InP based radiation detector structures
skos:notation
GA102/06/0153
n3:aktivita
n11:GA
n3:celkovaStatniPodpora
n16:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n16:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2009-10-22+02:00
n3:druhSouteze
n21:VS
n3:duvernostUdaju
n18:S
n3:fazeProjektu
n9:68673820
n3:hlavniObor
n6:JA
n3:hodnoceniProjektu
n13:V
n3:kategorie
n10:ZV
n3:klicovaSlova
semiconductor materials; indium phosphide (InP); rare earths; detectors
n3:partnetrHlavni
n5:ico%3A67985882
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
1
n3:pocetVysledkuRIV
18
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
18
n3:posledniUvolneniVMinulemRoce
2008-04-25+02:00
n3:prideleniPodpory
n14:102%2F06%2F0153
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n17:2008
n3:sberDatUdajeProjZameru
n17:2009
n3:soutez
n20:SGA02006GA-ST
n3:statusZobrazovaneFaze
n8:DUU
n3:typPojektu
n15:P
n3:ukonceniReseni
2008-12-31+01:00
n3:vedlejsiObor
n6:JJ n6:JB
n3:zahajeniReseni
2006-01-01+01:00
n3:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
The aim of the grant project was to exploit specific properties of the rare-earth elements (RE) in preparation of bulk crystals and epitaxial layers on InP basis intended for radiation detection. All REs present in growth melts exhibited various, but in Cílem řešení grantového projektu bylo využít specifické vlastnosti vzácných zemin (RE) při přípravě objemových krystalů a epitaxních vrstev na bázi InP určených pro aplikace v detekci radiačního záření. Všechny RE přítomné v růstových taveninách vykázaly
n3:zivotniCyklusProjektu
n4:ZBKU
n3:klicoveSlovo
rare earths semiconductor materials indium phosphide (InP)