This HTML5 document contains 36 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n9http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/zivotniCyklusProjektu/
n20http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/druhSouteze/
n5http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/typPojektu/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/hodnoceniProjektu/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/
n16http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/subjekt/
n19http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/kategorie/
n14http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n6http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/duvernostUdaju/
rdfshttp://www.w3.org/2000/01/rdf-schema#
skoshttp://www.w3.org/2004/02/skos/core#
n21http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/fazeProjektu/
n8http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/obor/
n17http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/soutez/
n13http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/statusZobrazovaneFaze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/cep/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/projekt/GA102%2F03%2F0316/
n15http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/aktivita/
n11http://reference.data.gov.uk/id/gregorian-year/

Statements

Subject Item
n2:GA102%2F03%2F0316
rdf:type
n14:Projekt
rdfs:seeAlso
http://www.isvav.cz/projectDetail.do?rowId=GA102/03/0316
dcterms:description
The proposed project is both logical and technical extension of the project %22Photon counting detector for the near infrared%22 supported by the grant 102/00/0820 in 2000-2002. The goal of the project is to develop solid state photon counter, which will beable to detect in the wavelength range of 400 to 1600 nanometers with picosecond timing resolution on the basis of GeSi. The detector will consist of the avalanche photodiode and an electronics active quenching and gating circuit. It will be based on ananalogy to the previously developed detectors on Silicon. The construction of the GeSi based detector is the prolongation of the research conducted in nineties. That time, the research has been slowed down due to the lack of the availability of suitableGeSi material of sufficient Ge concentration and mono-crystal uniformity required for detector construction. These limitations have are over in 2002, our group acquired GeSi waver samples, which are expected to be suitable for photon counting detectors Navrhovaný projekt je logickým i věcným pokračováním projektu %22Detektor jednotlivých fotonů pro blízkou infračervenou oblast%22 řešeného za podpory GAČR 102/00/0820 v letech 2000-2002. Cílem navrhovaného projektu je vyvinout polovodičový detektorjednotlivých fotonů, který bude detekovat v rozsahu vlnových délek 400 až 1600 nanometrů s pikosekundovým časovým rozlišením na bázi GeSi. Detektor se bude skládat z lavinové diody a elektronického řídícího obvodu. Bude vyvinut na základě analogie sexistujícím detektorem na bázi křemíku. Konstrukce lavinové fotodiody na bázi GeSi je pokračování vývoje zahájeného v devadesátých letech, tehdy byl slibně se rozbíhající vývoj utlumen omezeními v technologii přípravy substrátů GeSi: nebyly dostupnésubstráty s dostatečně vysokou koncentrací Ge (desítky procent) a zároveň s homogenitou požadovanou pro konstrukci detektorů jednotlivých fotonů. Tato omezení padla v roce 2002, naše skupina získala první vzorky substrátů GeSi, které jsou perspektivních
dcterms:title
Detektor jednotlivých fotonů na bázi GeSi GeSi based photon counting detector
skos:notation
GA102/03/0316
n3:aktivita
n15:GA
n3:celkovaStatniPodpora
n12:celkovaStatniPodpora
n3:celkoveNaklady
n12:celkoveNaklady
n3:datumDodatniDoRIV
2009-01-15+01:00
n3:druhSouteze
n20:VS
n3:duvernostUdaju
n6:S
n3:fazeProjektu
n21:33432296
n3:hlavniObor
n8:JA
n3:hodnoceniProjektu
n4:U
n3:kategorie
n19:ZV
n3:klicovaSlova
Neuvedeno.
n3:partnetrHlavni
n16:orjk%3A21340
n3:pocetKoordinujicichPrijemcu
0
n3:pocetPrijemcu
1
n3:pocetSpoluPrijemcu
0
n3:pocetVysledkuRIV
8
n3:pocetZverejnenychVysledkuVRIV
8
n3:rokUkonceniPodpory
n11:2005
n3:rokZahajeniPodpory
n11:2003
n3:sberDatUcastniciPoslednihoRoku
n11:2006
n3:sberDatUdajeProjZameru
n11:2006
n3:soutez
n17:SGA02003GA-ST
n3:statusZobrazovaneFaze
n13:DUU
n3:typPojektu
n5:P
n3:vedlejsiObor
n8:JB n8:BH
n3:zhodnoceni+vysledku+projektu+dodavatelem
The solid state photon counter based on GeSi has been developed and tested. The main project output is the solid state technology process of the preparation of shallow PN junction structure on the basis of epitax layer GeSi on a silicon substrate to be a Byl vyvinut a testován polovodičový detektor jednotlivých fotonů na bázi GeSi. Hlavním výsledkem je technologie přípravy lavinové diodové struktury na bázi epitaxní vrstvy GeSi na křemíkové podložce. Byly provedeny technologické testy a nalezeny nové pos
n3:zivotniCyklusProjektu
n9:ZBKU