This HTML5 document contains 26 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/kategorie/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/soutez/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/aktivita/
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/obor/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/druh-souteze/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/faze/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/projekt/TA0/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/typ/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/poskytovatel/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/smlouva/

Statements

Subject Item
n2:TA01010078
rdf:type
n3:Projekt
dcterms:description
1) Aplikovaný výzkum progresivních polovodičových materiálů a struktur a experimentální vývoj technologií jejich výroby se zaměřením na pokročilou technologii výroby Silicon-On-Insulator (SOI) a na bonding křemíkových desek pro SOI. 2) Aplikovaný výzkum a vývoj nových metod charakterizace objemových i povrchových vlastností polovodičových materiálů a struktur (IR kamera pro měření kvality bondingu, komplexní metrologie struktury SOI, měření doby života minoritních nositelů náboje). 1) Applied research of advanced semiconductor materials and structures and experimental development of technologies for their manufacturing, especially advanced technology of Silicon-On-Insulator (SOI) manufacturing and bonding of silicon wafers for SOI. 2) Applied research and development of advanced methods for characterization of bulk and surface properties of semiconductor materials and structures (IR checking of bonding quality, complex metrology of SOI, measurement of minor carrier lifetime).
dcterms:title
SOI Structures for Advanced Semiconductor Applications Struktury SOI pro pokročilé polovodičové aplikace
n3:cislo-smlouvy
n11:20110001
n3:dalsi-vedlejsi-obor
n10:BM
n3:druh-souteze
n4:VS
n3:faze
n6:54226951
n3:hlavni-obor
n10:JJ
n3:vedlejsi-obor
n10:JA
n3:id-aktivity
n13:TA
n3:id-souteze
n9:STA02011TA01
n3:kategorie
n12:3
n3:klicova-slova
BGSOI; BESOI; BOX; bonding; grinding; Silicon; silicon wafer; etchning; polishing; semiconductors; SOI; SOI wafer
n3:konec-reseni
2013-12-31+01:00
n3:pocet-koordinujicich-prijemcu
0
n3:poskytovatel
n8:TA0
n3:start-reseni
2011-01-01+01:00
n3:statni-podpora
20912
n3:typProjektu
n5:P
n3:uznane-naklady
40247
n3:pocet-prijemcu
1
n3:pocet-spoluprijemcu
1
n3:pocet-vysledku
13
n3:pocet-vysledku-zverejnovanych
13