This HTML5 document contains 26 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/soutez/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/kategorie/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/projekt/MSM/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/aktivita/
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/obor/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/druh-souteze/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/smlouva/MSMT-11646/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/faze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/typ/
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/poskytovatel/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#

Statements

Subject Item
n2:7AMB12GR034
rdf:type
n3:Projekt
dcterms:description
The project aims at the atomic scale profound understanding and tailoring of growth mechanisms, microstructure and physical properties of highly mismatched III-V heterostructures, quantum dot (QD) nanostructures and metal nanoparticles (MNPs) grown on nanoporous and compact substrates. Periodic porous structures in InP and GaAs will be prepared by electrochemical etching and In(x)Ga(1-x)As(y)P(1-y) layers and InAs/GaAs QDs will be grown by liquid and metal organic vapour phase epitaxy. Schottky barriers will be formed by MNPs deposition onto InP by electrophoresis and by photoinduced decomposition of inorganic salts. Quantitative transmission electron microscopy will be used to study the nucleation mechanisms the microstructure of the epilayers, the shape and size of QDs and MNPs the local interfacial structure and the strain distribution at the heterointerfaces. Physical properties will be characterized by ballistic electron emission spectroscopy, photoluminescence and microcathodoluminescence. Cílem projektu je důkladně pochopit a uzpůsobit růstové mechnismy, mikrostrukturu a fyzikální vlastnosti heterostruktur III-V s velkým mřížkovým nepřizpůsobením a nanostruktur s kvantovými tečkami (KT) a kovovými nanočásticemi (KNC) na porézních a kompaktních substrátech. Periodické porézní struktury v InP a GaAs připravíme elektrochemickým leptáním a následně porosteme vrstvy In(x)Ga(1-x)As(y)P(1-y) a KT InAs/GaAs kapalnou epitaxí a plynnou epitaxí z organokovových sloučenin. Na InP substrátech vytvoříme Schottkyho bariéry nanášením KNC elektroforézou a světlem indukovaným rozkladem anorganických solí. Kvantitativní transmisní elektronová mikroskopie bude sloužit ke studiu mechanismů nukleace mikrostruktury epitaxních vrstev, tvaru a velikosti KT a MNP lokální struktury rozhraní a rozložení deformace na heterorozhraní. Fyzikální vlastnosti budeme charakterizovat pomocí balistické elektronové emisní spektroskopie, fotoluminiscence a mikrokatodoluminiscence.
dcterms:title
III-V semiconductor heterostructures/nanostructures towards innovative electronic and photonic applications Heterostruktury a nanostruktury polovodičů III-V pro nové elektronické a fotonické aplikace
n3:cislo-smlouvy
n5:2012-36
n3:dalsi-vedlejsi-obor
n4:BM
n3:druh-souteze
n11:RP
n3:faze
n7:54586704
n3:hlavni-obor
n4:JA
n3:vedlejsi-obor
n4:JJ
n3:id-aktivity
n13:7A
n3:id-souteze
n9:
n3:kategorie
n8:1
n3:klicova-slova
porous III-V semiconductors; heteroepitaxial growth; LPE; MOVPE; HRTEM; photoluminescence; ballistic electron emission microscopy; metal nanoparticles; Schottky interface.
n3:konec-reseni
2013-12-31+01:00
n3:pocet-koordinujicich-prijemcu
0
n3:poskytovatel
n12:MSM
n3:start-reseni
2012-01-01+01:00
n3:statni-podpora
140
n3:typProjektu
n10:P
n3:uznane-naklady
140
n3:pocet-prijemcu
1
n3:pocet-spoluprijemcu
1
n3:pocet-vysledku
0
n3:pocet-vysledku-zverejnovanych
0