This HTML5 document contains 26 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/kategorie/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/soutez/SMPO2011/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n5http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/aktivita/
n4http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/obor/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/druh-souteze/
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/faze/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/smlouva/FR-TI3/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/typ/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/projekt/MPO/FR-TI3/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/poskytovatel/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/business-entity/

Statements

Subject Item
n2:031
rdf:type
n4:Projekt
dcterms:description
Project is focused on R&D of novel processes of crystal growth, silicon wafers manufacturing and epitaxial layers growth. There are subjects of R&D of crystal growth (110) silicon ingots and large scale ingots (with diameter above 200 mm). Computer simulations of Czochralski silicon crystal growth and development of specific modules for crystal growth optimization are fundamental for R&D tests. Developed ingots will be utilized for development of processes of polished silicon wafers manufacturing including achievement of sub-micron flatness and sub-nanometer surface roughness suitable for advanced semiconductor applications. R&D of Advanced EPItaxial layers growth (AEPI) is focused on achievement of top-level parameters (high radial homogeneity of layer thickness and dopant concentration; controlled axial profile of dopant) of epitaxial layers on 200 mm silicon substrates. Programový projekt je zaměřen na VaV nových procesů růstu krystalů, výroby křemíkových desek a růst epitaxních vrstev. Předmětem VaV růstu krystalů budou křemíkové ingoty orientace (110) a ingoty velkých průměrů (nad 200 mm). Východiskem pro realizaci vývojových testů jsou počítačové simulace Czochralskiho růstu krystalů křemíku a vývoj specifických modulů pro optimalizaci procesu růstu. Vyvinuté krystaly budou využity pro vývoj procesů výroby leštěných křemíkových desek se sub-mikronovou rovinností a sub-nanometrovou drsnosti povrchu vhodných pro pokročilé polovodičové aplikace. VaV procesu růstu pokročilých epitaxních vrstev (AEPI Advanced EPItaxy) je zaměřen na dosažení špičkových parametrů (vysoké radiální homogenity tloušťky vrstvy a koncentrace dopantu; řízeného axiálního profilu dopantu) epitaxních vrstev na křemíkových substrátech průměru 200 mm.
dcterms:title
Research and Development of Technologies of Manufacturing of Novel Species of Silicon Wafers Výzkum a vývoj technologií výroby nových typů křemíkových desek
n4:cislo-smlouvy
n8:031
n4:druh-souteze
n7:VS
n4:faze
n11:54642304
n4:hlavni-obor
n9:JJ
n4:vedlejsi-obor
n9:JA
n4:hlavni-ucastnik
n14:ico-26821532
n4:id-aktivity
n5:FR
n4:id-souteze
n13:01
n4:kategorie
n12:3
n4:klicova-slova
dopant; epitaxy; ingot; crystal; silicon; crystallographic orientation; silicon wafer; computer simulation; semiconductor; crystal growth
n4:konec-reseni
2012-12-31+01:00
n4:pocet-koordinujicich-prijemcu
0
n4:poskytovatel
n6:MPO
n4:start-reseni
2011-01-01+01:00
n4:statni-podpora
3870
n4:typProjektu
n10:P
n4:uznane-naklady
11813
n4:pocet-prijemcu
1
n4:pocet-spoluprijemcu
0
n4:pocet-vysledku
9
n4:pocet-vysledku-zverejnovanych
9