This HTML5 document contains 22 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

Prefix	IRI
n9	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/kategorie/
n6	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/soutez/
dcterms	http://purl.org/dc/terms/
n11	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/aktivita/
n3	http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n7	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/obor/
n8	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/druh-souteze/
n2	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/projekt/GA0/GA202/98/
n10	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/faze/
rdf	http://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n5	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/typ/
n12	http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/poskytovatel/
xsdh	http://www.w3.org/2001/XMLSchema#

Statements

Subject Item

n2:P254

rdf:type

n3:Projekt

dcterms:description

The aim of the project is in characterising and optimising the growth of GaSb based semiconductor layers from different precursors using Metal}{lang1029 -}{Organic Vapour Phase Epitaxy (MOVPE). These materials may be suitable namely for the preparation of detectors and laser diodes emitting in the mid-infrared range. As precursors, the following materials will be used: trimethylgallium (TMGa) or triethylgallium (TEGa), arsin (AsH}{sub 3}{) or tertiarybutylarsin (TBAs), trimethylaluminium (TMAl) or tristertiarybutylaluminium (TTBAl) and trisdimethylaminoantimony (TDMASb) or triethylantimony (TESb), while the suitability of using the given precursors will be discussed and compared from the viewpoint of mutual compatibility during growth as well as from the viewpoint of their thermal (temperature) decomposition and thus also the quality of the layer prepared. We can expect that the layers, prepared from newly developed precursors, which thanks to weaker chemical bonds of metal-organic radical show Navrhovaný projekt se týká přípravy, charakterizace a optimalizace růstu polovodičových vrstev na bázi Sb (binárních i ternárních) z různých prekurzorů pomocí MOVPE (Metal Organic Vapour Phase Epitaxy). Tyto materiály budou vhodné zejména pro přípravu detektorů a laserových diod emitujících při vyšších teplotách ve středněvlnné infračervené oblasti (2-5 um). Jako prekurzory budou použity trimethylgallium (TMGa) nebo triethylgallium (TEGa), arsin (AsH3) nebo tertiarybutylarsin (TBAs), trimethylaluminiu(TMAl) nebo tristertiarybutylaluminium (TTBAl) a trisdimethylaminoantimon (TDMASb) nebo triethylantimon (TESb), přičemž bude diskutována a porovnávána vhodnost použití uvedených prekurzorů z hlediska vzájemné slučitelnosti během růstu a rovněž z hlediskajejich teplotního rozkladu a tím i kvality vzniklé vrstvy. Dá se očekávat, že vzniklé vrstvy, připravované z nově vyvinutých prekurzorů, které díky slabším chemickým vazbám kov - organický radikál mají nižší teploty rozkladu, by mohly mít lepší kvalitu n

dcterms:title

Příprava a charakterizace polovodičových epitaxních MOVPE vrstev a struktur na bázi GaSb Preparation and characterization of epitaxial semiconductor MOVPE layers and structure based on GaSb

n3:dalsi-vedlejsi-obor

n7:CI

n3:druh-souteze

n8:

n3:faze

n10:20070301

n3:hlavni-obor

n7:BM

n3:vedlejsi-obor

n7:JA

n3:id-aktivity

n11:GA

n3:id-souteze

n6:

n3:kategorie

n9:0

n3:pocet-koordinujicich-prijemcu

0

n3:poskytovatel

n12:GA0

n3:statni-podpora

476

n3:typProjektu

n5:P

n3:uznane-naklady

476

n3:pocet-prijemcu

1

n3:pocet-spoluprijemcu

0

n3:pocet-vysledku

1

n3:pocet-vysledku-zverejnovanych

1