This HTML5 document contains 27 embedded RDF statements represented using HTML+Microdata notation.

The embedded RDF content will be recognized by any processor of HTML5 Microdata.

Namespace Prefixes

PrefixIRI
n11http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/soutez/
n8http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/kategorie/
dctermshttp://purl.org/dc/terms/
n6http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/aktivita/
n3http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/
n10http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/obor/
n2http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/projekt/GA0/GA102/06/
n7http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/druh-souteze/
n4http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/smlouva/102/06/
n13http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/faze/
rdfhttp://www.w3.org/1999/02/22-rdf-syntax-ns#
n9http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/typ/
n14http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/poskytovatel/
xsdhhttp://www.w3.org/2001/XMLSchema#
n12http://linked.opendata.cz/resource/domain/vavai/cep/business-entity/

Statements

Subject Item
n2:1551
rdf:type
n3:Projekt
dcterms:description
In a semiconductor PN junction there are localized regions featuring increased concentration of donor or acceptor impurities or other defects, which cause the PN junction reverse breakdown voltage to be reduced. They can be displayed when picking up the reverse current waveforms at varying reverse voltage or by measuring the U-I characteristics of a PN junction powered from a constant current supply. Below the homogeneous breakdown region, the PN junction reverse current is, in principle, due to the local defect-assisted current conduction only. These areas are particularly critical for the application of high-power rectifier diodes, which are operated at very high reverse voltages continuously. The goal of the present project consists in completingboth theoretical and experimental study of statistic and transport characteristics of selected PN junction semiconductor devices in their local instability regions (microplasma occurrence regions) and, based on this study, to design a methodology and an V polovodičovém PN přechodu existují lokalizované oblasti se zvýšenou koncentrací donorových nebo akceptorových příměsí nebo další defekty, které se projevují nižším průrazným napětím PN přechodu ve zpětném směru. Lze je indikovat buďto snímáním časovýchprůběhů závěrného proudu při proměnném závěrném napětí nebo měřením VA charakteristik při napájení ze zdroje proudu. Závěrný proud přechodem v oblasti před homogenním průrazem je tvořen v podstatě pouze vedením proudu těmito lokálními defekty. Tyto oblasti jsou zvláště nebezpečné při aplikaci výkonových usměrňovacích diod, které pracují trvale s vysokými závěrnými hodnotami napětí. Cílem projektu je provést teoretické a experimentální studium statistických a transportních charakteristik vybraných polovodičových součástek s PN přechody v oblastech lokálních nestabilit PN přechodů (v oblastech výskytu mikroplazmy) a na základě tohoto studia navrhnout metodiku a zařízení pro šumovou diagnostiku a posuzování kvality, případně i spolehlivosti PN
dcterms:title
Diagnostics of PN junction electronic devices by means of microplasma noise evaluation Diagnostika elektronických součástek s PN přechodem pomocí šumu mikroplazmy
n3:cislo-smlouvy
n4:1551
n3:dalsi-vedlejsi-obor
n10:JS
n3:druh-souteze
n7:VS
n3:faze
n13:35895088
n3:hlavni-obor
n10:JA
n3:vedlejsi-obor
n10:BM
n3:hlavni-ucastnik
n12:orjk-26220
n3:id-aktivity
n6:GA
n3:id-souteze
n11:SGA02006GA-ST
n3:kategorie
n8:1
n3:klicova-slova
Diagnostics; quality; PN junction; avalanche breakdown; microplasma noise
n3:konec-reseni
2008-12-31+01:00
n3:pocet-koordinujicich-prijemcu
0
n3:poskytovatel
n14:GA0
n3:start-reseni
2006-01-01+01:00
n3:statni-podpora
980
n3:typProjektu
n9:P
n3:uznane-naklady
980
n3:pocet-prijemcu
1
n3:pocet-spoluprijemcu
0
n3:pocet-vysledku
58
n3:pocet-vysledku-zverejnovanych
58