Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Nízkoprofilovou anténu tvoří první substrát (1) s motivem vlastní smyčky umístěný na druhý substrát (6), na jehož vrchní straně je vytvořen motiv čtveřice subvlnových plošek (7.1, 7.2, 7.3 a 7.4) oddělených vzájemně tenkými štěrbinami (8.1 a 8.2) a jehož spodní strana je opatřena souvislou vodivou vrstvou tvořící stínící rovinu (9). Tloušťka druhého substrátu (6) je 0,007 0,015 λg a jeho relativní permitivita εr>6. Vlastní smyčka je tvořena třemi tenkými rovnoběžnými pásky (2.1, 2.2, 2.3) délky 0,45 0,6 λg, které jsou vzájemně vzdáleny 0,01 0,04 λg, kde λg je vlnová délka na daném substrátu. Jejich konce jsou spojeny dvěma propojovacími bočními pásky (3.1, 3.2) tloušťky ve stejném rozmezí jako je tloušťka pásků (2.1, 2.2) Počet pásků tvořících smyčku lze měnit a ovlivňovat tak vstupní impedanci antény. Pásek (2.2), nejblíže středu prvního substrátu (1) je přerušen první mezerou (4), která slouží pro umístění napájecího čipu.
- Nízkoprofilovou anténu tvoří první substrát (1) s motivem vlastní smyčky umístěný na druhý substrát (6), na jehož vrchní straně je vytvořen motiv čtveřice subvlnových plošek (7.1, 7.2, 7.3 a 7.4) oddělených vzájemně tenkými štěrbinami (8.1 a 8.2) a jehož spodní strana je opatřena souvislou vodivou vrstvou tvořící stínící rovinu (9). Tloušťka druhého substrátu (6) je 0,007 0,015 λg a jeho relativní permitivita εr>6. Vlastní smyčka je tvořena třemi tenkými rovnoběžnými pásky (2.1, 2.2, 2.3) délky 0,45 0,6 λg, které jsou vzájemně vzdáleny 0,01 0,04 λg, kde λg je vlnová délka na daném substrátu. Jejich konce jsou spojeny dvěma propojovacími bočními pásky (3.1, 3.2) tloušťky ve stejném rozmezí jako je tloušťka pásků (2.1, 2.2) Počet pásků tvořících smyčku lze měnit a ovlivňovat tak vstupní impedanci antény. Pásek (2.2), nejblíže středu prvního substrátu (1) je přerušen první mezerou (4), která slouží pro umístění napájecího čipu. (en)
- Nízkoprofilovou anténu tvoří první substrát (1) s motivem vlastní smyčky umístěný na druhý substrát (6), na jehož vrchní straně je vytvořen motiv čtveřice subvlnových plošek (7.1, 7.2, 7.3 a 7.4) oddělených vzájemně tenkými štěrbinami (8.1 a 8.2) a jehož spodní strana je opatřena souvislou vodivou vrstvou tvořící stínící rovinu (9). Tloušťka druhého substrátu (6) je 0,007 0,015 λg a jeho relativní permitivita εr>6. Vlastní smyčka je tvořena třemi tenkými rovnoběžnými pásky (2.1, 2.2, 2.3) délky 0,45 0,6 λg, které jsou vzájemně vzdáleny 0,01 0,04 λg, kde λg je vlnová délka na daném substrátu. Jejich konce jsou spojeny dvěma propojovacími bočními pásky (3.1, 3.2) tloušťky ve stejném rozmezí jako je tloušťka pásků (2.1, 2.2) Počet pásků tvořících smyčku lze měnit a ovlivňovat tak vstupní impedanci antény. Pásek (2.2), nejblíže středu prvního substrátu (1) je přerušen první mezerou (4), která slouží pro umístění napájecího čipu. (cs)
|
Title
| - Nízkoprofilová anténa
- Nízkoprofilová anténa (cs)
- Low-profile antenna (en)
|
skos:prefLabel
| - Nízkoprofilová anténa
- Nízkoprofilová anténa (cs)
- Low-profile antenna (en)
|
skos:notation
| - RIV/68407700:21230/08:03147006!RIV09-MSM-21230___
|
http://linked.open...tracePatentuVzoru
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA102/08/1282), Z(MSM6840770014)
|
http://linked.open...cisloPatentuVzoru
| |
http://linked.open...eleniPatentuVzoru
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/68407700:21230/08:03147006
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - artificial surface; grounded dielectric slab; loop antenna; low-profile antenna; patch array (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open.../licencniPoplatek
| |
http://linked.open...ydaniPatentuVzoru
| |
http://linked.open...atelePatentuVzoru
| - Úřad průmyslového vlastnictví
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...ydaniPatentuVzoru
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Polívka, Milan
- Švanda, Milan
|
http://linked.open...mniOchranaPatentu
| |
http://linked.open...avai/riv/vlastnik
| |
http://linked.open...itiJinymSubjektem
| |
http://linked.open...uzitiPatentuVzoru
| |
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |
is http://linked.open...avai/riv/vysledek
of | |