Energetická mezera příšlusná jednotlivým prvkům v ternárních polovodičích je stanovena pomocí vzájemného navázáni rtg. absorpčních a emisních spekter. (cs)
Element-specific gap in the p states for ternary semiconductors is obtained via aligning x-ray absorption and x-ray emission spectra.
Element-specific gap in the p states for ternary semiconductors is obtained via aligning x-ray absorption and x-ray emission spectra. (en)
Element-specific gap in the p states for ternary semiconductors CuGaSe2 and ZnGeAs2 via alignment of x-ray emission and x-ray absorption spectra
Element-specific gap in the p states for ternary semiconductors CuGaSe2 and ZnGeAs2 via alignment of x-ray emission and x-ray absorption spectra (en)
Chemicky-specifikovaná energetická mezera v p stavech ternárních polovodičů CuGaSe2 and ZnGeAs2 pomocí navázání rtg. emisních a rtg. absorpčních spekter (cs)
Element-specific gap in the p states for ternary semiconductors CuGaSe2 and ZnGeAs2 via alignment of x-ray emission and x-ray absorption spectra
Element-specific gap in the p states for ternary semiconductors CuGaSe2 and ZnGeAs2 via alignment of x-ray emission and x-ray absorption spectra (en)
Chemicky-specifikovaná energetická mezera v p stavech ternárních polovodičů CuGaSe2 and ZnGeAs2 pomocí navázání rtg. emisních a rtg. absorpčních spekter (cs)