Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - This article deals with plasma etching of Si in a CF4/O2 mixture. This is a common way of Si etching used in micro- and nanofabrication. We determined important parameters such as etching rates and selectivity of Si and PMMA of the process. Experimental part was carried out on plasma system Diener nano. (en)
- Jedním z klíčových procesů při výrobě mikro a nanostruktur je opracování povrchů různých materiálů. K opracování povrchu materiálu lze použít metod suchého leptání, jejichž rozvoj nastal s vyššími nároky na leptací techniky kvůli miniaturizaci v mikro a nanotechnologiích. Za jednu z nejpoužívanějších metod pro zápis mikroa nanostruktur ve výzkumu se v současnosti považuje elektronová litografie. K dalšímu zpracování vytvářených struktur se pak používá suché leptání využívající ionizovaného plynu (plazmatu). Techniky suchého leptání se rozdělují podle mechanismu na tři základní skupiny: chemické, fyzikální a chemicko-fyzikální. Z hlediska selektivity leptání se jako vhodný jeví první z uvedených mechanismů, založený na chemické reakci mezi částicemi, které vzniknou ionizací plynu (leptadla) a částicemi leptaného materiálu. Tento proces pak bývá označován jako plazmochemické leptání.
- Jedním z klíčových procesů při výrobě mikro a nanostruktur je opracování povrchů různých materiálů. K opracování povrchu materiálu lze použít metod suchého leptání, jejichž rozvoj nastal s vyššími nároky na leptací techniky kvůli miniaturizaci v mikro a nanotechnologiích. Za jednu z nejpoužívanějších metod pro zápis mikroa nanostruktur ve výzkumu se v současnosti považuje elektronová litografie. K dalšímu zpracování vytvářených struktur se pak používá suché leptání využívající ionizovaného plynu (plazmatu). Techniky suchého leptání se rozdělují podle mechanismu na tři základní skupiny: chemické, fyzikální a chemicko-fyzikální. Z hlediska selektivity leptání se jako vhodný jeví první z uvedených mechanismů, založený na chemické reakci mezi částicemi, které vzniknou ionizací plynu (leptadla) a částicemi leptaného materiálu. Tento proces pak bývá označován jako plazmochemické leptání. (cs)
|
Title
| - Plasmochemical Etching of Silicon in Diener Nano Device (en)
- Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano
- Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano (cs)
|
skos:prefLabel
| - Plasmochemical Etching of Silicon in Diener Nano Device (en)
- Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano
- Plazmochemické leptání křemíku v zařízení Diener nano (cs)
|
skos:notation
| - RIV/68081731:_____/14:00429848!RIV15-MSM-68081731
|
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/68081731:_____/14:00429848
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - plasmochemical etching; silicon; etching rate; selectivity (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| |
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Horáček, Miroslav
- Matějka, Milan
- Urbánek, Michal
- Kolařík, Vladimír
- Krátký, Stanislav
|
http://linked.open...ain/vavai/riv/wos
| |
issn
| |
number of pages
| |