About: Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor

Facets (new session)
Description
Metadata
Settings
- owl:sameAs
- Inference Rule:

About: Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor Goto Sponge NotDistinct Permalink

An Entity of Type : http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek, within Data Space : linked.opendata.cz associated with source document(s)

Attributes	Values
rdf:type	skos:Concept http://linked.opendata.cz/ontology/domain/vavai/Vysledek
Description	Velikost funkčních detailů v polovodičové struktuře se trvale zmenšuje. Mezi strukturními prvky hrají klíčovou roli lokálně dopované obrazce a existuje tedy potřeba nástrojů umožňujících jejich pozorování. Pro rychlou diagnostiku a kontrolu kvality polovodičů je používán rastrovací elektronový mikroskop se svým širokým rozsahem zvětšení, možností detekovat různé typy signálů, rychlostí sběru dat a minimálním poškozováním preparátu při pozorování, zvláště při nízkých energiích elektronů. Koncentrace dopantu v polovodiči je kvantitativně určována na základě měření úrovně obrazového kontrastu v signálu sekundárních elektronů (SE) mezi různě dopovanými oblastmi polovodiče (cs) Functional details of semiconductor structures keep decreasing in size. Among the structure elements the locally doped patterns play crucial role so that tools are needed for their observation. For fast diagnosis and quality check of the semiconductor structures the scanning electron microscope is useful because of its wide range of magnification, availability of different signal modes, speed of data acquisition and nondestructive nature of the technique in general, especially at low voltage operations. The dopant concentration in semiconductor is quantitatively determined via acquisition of signal of the secondary electron (SE) emission in such a way that the image contrast is measured between areas of different type or rate of doping Functional details of semiconductor structures keep decreasing in size. Among the structure elements the locally doped patterns play crucial role so that tools are needed for their observation. For fast diagnosis and quality check of the semiconductor structures the scanning electron microscope is useful because of its wide range of magnification, availability of different signal modes, speed of data acquisition and nondestructive nature of the technique in general, especially at low voltage operations. The dopant concentration in semiconductor is quantitatively determined via acquisition of signal of the secondary electron (SE) emission in such a way that the image contrast is measured between areas of different type or rate of doping (en)
Title	Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor (en) Tvorba kontrastu při zobrazení dopovaného polovodiče v nízkoenergiovém REM (cs)
skos:prefLabel	Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor Contrast Generation in Low Energy SEM Imaging of Doped Semiconductor (en) Tvorba kontrastu při zobrazení dopovaného polovodiče v nízkoenergiovém REM (cs)
skos:notation	RIV/68081731:_____/04:00109047!RIV/2005/AV0/A12005/N
http://linked.open.../vavai/riv/strany	51;52
http://linked.open...avai/riv/aktivita	P
http://linked.open...avai/riv/aktivity	P(KJB2065301)
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat	2005
http://linked.open...aciTvurceVysledku	Mika, Filip Frank, Luděk
http://linked.open.../riv/druhVysledku	D - Článek ve sborníku
http://linked.open...iv/duvernostUdaju	S - Úplné a pravdivé údaje nepodléhající ochraně podle zvláštních právních předpisů
http://linked.open...titaPredkladatele	Ústav přístrojové techniky AV ČR, v. v. i.
http://linked.open...dnocenehoVysledku	558719
http://linked.open...ai/riv/idVysledku	RIV/68081731:_____/04:00109047
http://linked.open...riv/jazykVysledku	eng - angličtina
http://linked.open.../riv/klicovaSlova	low energy SEM;doped semiconductor (en)
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo	doped semiconductor low energy SEM
http://linked.open...ontrolniKodProRIV	[47D1219E6EBB]
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce	Skalský Dvůr
http://linked.open...i/riv/mistoVydani	Brno
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje	Proceedings of the 9th International Seminar Recent Trends in Charged Particle Optics and Surface Physics Instrumentation
http://linked.open...in/vavai/riv/obor	JA
http://linked.open...ichTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...cetTvurcuVysledku	2 (xsd:int)
http://linked.open...vavai/riv/projekt	Selected applications and futher development of the method for imaging of insulators in the scanning electron microscope with a cathode lens
http://linked.open...UplatneniVysledku	2004
http://linked.open...iv/tvurceVysledku	Frank, Luděk Mika, Filip
http://linked.open...vavai/riv/typAkce	WRD - Světová
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce	2004-07-12 (xsd:date)
number of pages	2 (xsd:int)
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher	Ústav přístrojové techniky AV ČR
https://schema.org/isbn	80-239-3246-2

Faceted Search & Find service v1.16.118 as of Jun 21 2024

Alternative Linked Data Documents: ODE Content Formats:

RDF

ODATA

Microdata

About

OpenLink Virtuoso version 07.20.3240 as of Jun 21 2024, on Linux (x86_64-pc-linux-gnu), Single-Server Edition (126 GB total memory, 77 GB memory in use)
Data on this page belongs to its respective rights holders.
Virtuoso Faceted Browser Copyright © 2009-2024 OpenLink Software