Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - Addition of REs to the growth melt is known to have purifying effect on AIIIBV LPE layers. Each member of REs family acts in its own way. Small addition of Tb, Dy, Tm, and Pr leads to pronounced gettering of shallow donors, the high purity n-type InP can be grown. Exceeding certain concentration, reversal of conductivity type from n to p occurs. Addition of Tm during growth on InP:Fe substrates always results in the preparation of semi-insulating layers due to Fe out-diffusion mediated by RE admixture.
- Addition of REs to the growth melt is known to have purifying effect on AIIIBV LPE layers. Each member of REs family acts in its own way. Small addition of Tb, Dy, Tm, and Pr leads to pronounced gettering of shallow donors, the high purity n-type InP can be grown. Exceeding certain concentration, reversal of conductivity type from n to p occurs. Addition of Tm during growth on InP:Fe substrates always results in the preparation of semi-insulating layers due to Fe out-diffusion mediated by RE admixture. (en)
- Je známo, že přidáním prvků vzácných zemin do růstové taveniny lze získat LPE vrstvy sloučenin AIIIBV vysoké čistoty. Každý z těchto prvků však vykazuje jedinečné chování. Nízké přídavky Tb, Dy, Tm a Pr vedou ke getraci mělkých donorů a růstu čistých vrstev vodivosti typu n. Při překročení určité koncentrace dochází ke změně vodivostního typu. Přídavek Tm na InP:Fe substrátech má za následek konverzi epitaxní vrstvy do semiizolačního stavu kvůli difuzi Fe zprostředkované vzácnou zeminou. (cs)
|
Title
| - LPE growth of InP using rare-earth treated melts
- LPE growth of InP using rare-earth treated melts (en)
- Růst InP metodou LPE s přídavkem prvků vzácných zemin do taveniny (cs)
|
skos:prefLabel
| - LPE growth of InP using rare-earth treated melts
- LPE growth of InP using rare-earth treated melts (en)
- Růst InP metodou LPE s přídavkem prvků vzácných zemin do taveniny (cs)
|
skos:notation
| - RIV/67985882:_____/06:00043178!RIV07-AV0-67985882
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA102/06/0153), Z(AV0Z20670512)
|
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/67985882:_____/06:00043178
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - liquid phase epitaxy; III-V semiconductors; rare earth compounds (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Development of Materials Science in Research and Education DMS-RE'06. Proceedings of the 16th Joint Seminar
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Grym, Jan
- Zavadil, Jiří
- Žďánský, Karel
- Procházková, Olga
|
http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
number of pages
| |
http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| - Slovenská technická univerzita v Bratislave
|
https://schema.org/isbn
| |
is http://linked.open...avai/riv/vysledek
of | |