Attributes | Values |
---|
rdf:type
| |
Description
| - V článku se analyzují tři různé přístupy k modelování rychlých fázových přechodů v Si vyvolaných laserovým ozařováním.: klasická Stefanova úloha, nerovnovážný model s Jacksonovou-Chalmersovou funkcí na rozhraní a kinetický model, v němž se bere v úvahu, jak nukleace, tak kinetika růstu nové fáze. Simulace pomocí jednotlivých modelů dávají podobné hodnoty maximální teploty povrchu, doby natavení, hloubky natavení a rychlosti rozhraní. Liší se v hodnotách podchlazení taveniny během krystalizačního stadia. Je provedeno porovnávání s dostupnými experimentálními daty a uvedena diskuze výsledků. (cs)
- Three different approaches to modelling fast laser-induced phase transformations in Si are analyzed in the paper: the classical Stefan problem, a non-equilibrium model in which the Jackson-Chalmers response function is used at the interface, and a kinetic approach, in which both the nucleation mechanism and the kinetics of the new phase growth are taken into account. The simulations with the individual models give similar results on the maximum surface temperature, melt duration, melting depth and interface velocity. They differ in the values of the melt undercooling during the crystallization stage. A comparison with available experimental data is presented and discussed.
- Three different approaches to modelling fast laser-induced phase transformations in Si are analyzed in the paper: the classical Stefan problem, a non-equilibrium model in which the Jackson-Chalmers response function is used at the interface, and a kinetic approach, in which both the nucleation mechanism and the kinetics of the new phase growth are taken into account. The simulations with the individual models give similar results on the maximum surface temperature, melt duration, melting depth and interface velocity. They differ in the values of the melt undercooling during the crystallization stage. A comparison with available experimental data is presented and discussed. (en)
|
Title
| - Modelling laser-induced phase transformations in semiconductors
- Modelování fázových transformací v polovodičích vyvolaných laserovým ozařováním (cs)
- Modelling laser-induced phase transformations in semiconductors (en)
|
skos:prefLabel
| - Modelling laser-induced phase transformations in semiconductors
- Modelování fázových transformací v polovodičích vyvolaných laserovým ozařováním (cs)
- Modelling laser-induced phase transformations in semiconductors (en)
|
skos:notation
| - RIV/67985840:_____/07:00095515!RIV08-AV0-67985840
|
http://linked.open.../vavai/riv/strany
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
http://linked.open...avai/riv/aktivity
| - P(GA201/04/1503), Z(AV0Z10190503)
|
http://linked.open...iv/cisloPeriodika
| |
http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
http://linked.open...titaPredkladatele
| |
http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/67985840:_____/07:00095515
|
http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - laser-induced phase transitions; moving boundary problem; non-equilibrium phase changer (en)
|
http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
http://linked.open...odStatuVydavatele
| |
http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - Mathematics and Computers in Simulation
|
http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
http://linked.open...v/svazekPeriodika
| |
http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Přikryl, Petr
- Gatskevich, E.
- Ivlev, G.
|
http://linked.open...n/vavai/riv/zamer
| |
issn
| |
number of pages
| |
is http://linked.open...avai/riv/vysledek
of | |