| Attributes | Values |
|---|
| rdf:type
| |
| Description
| - Tungsten oxide is an important material with electrical and optical properties that are exploited for a variety of applications such as photolysis, electrochromic devices and gas sensors. Tungsten trioxide (WO3) is an indirect bandgap semiconductor with attractive electrical and optical properties. The present work deals with photoelectrochemical properties of the layers prepared by magnetron sputtering deposition. The layers were prepared on FTO glass substrates (fluoride-doped tin oxide) at various deposition conditions. A high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) system was used for the deposition of WO3 thin films. Tungsten target was reactively sputtered in atmosphere of Ar + O2 at constant gas pressure p = 2.18 Pa. Properties of deposited WO3 films were studied in dependence on pulsing frequency and pulse applied power. (en)
- Oxid wolframu (WO3) je důležitý materiál s elektrickými a optickými vlastnostmi, které jsou využívány pro různé aplikace. Je to polovodič s atraktivními elektrickými a optickými vlastnostmi (Eg ? 2.5-2.8 eV), dokáže zachytit přibližně 12% slunečního spektra a může absorbovat světlo ve viditelném spektru až do 500 nm. Práce se zabývá porovnáním fotoelektrochemických vlastností vrstev, které byly připraveny magnetronovým naprašováním. Vrstvy byly připraveny na skelných substrátech FTO (oxid cíničitý dopovaný fluoridem) při různých depozičních podmínkách. Vlastnosti deponovaných WO3 filmů byly studovány v závislosti na pulzní frekvenci a době trvání depozice. Wolframový terč byl reaktivně bombardován v atmosféře Ar + O2 při konstantním tlaku plynu p = 2,18 Pa. Část vrstev byla vyžíhána (450 °C). Krystalografická struktura připravených vrstev byla zjišťována Ramanovskou spektroskopií a RTG difrakcí. Morfologie vrstev byla sledována s využitím skenovací elektronové mikroskopie. Fotoelektrochemické experimenty byly prováděny v elektrochemické cele v tříelektrodové konfiguraci. Byl připraven systém tenkých vrstev oxid cíničitý dopovaný fluoridem (FTO transparentní vodivý substrát - komerčně dostupný) / tenká vrstva WO3.
- Oxid wolframu (WO3) je důležitý materiál s elektrickými a optickými vlastnostmi, které jsou využívány pro různé aplikace. Je to polovodič s atraktivními elektrickými a optickými vlastnostmi (Eg ? 2.5-2.8 eV), dokáže zachytit přibližně 12% slunečního spektra a může absorbovat světlo ve viditelném spektru až do 500 nm. Práce se zabývá porovnáním fotoelektrochemických vlastností vrstev, které byly připraveny magnetronovým naprašováním. Vrstvy byly připraveny na skelných substrátech FTO (oxid cíničitý dopovaný fluoridem) při různých depozičních podmínkách. Vlastnosti deponovaných WO3 filmů byly studovány v závislosti na pulzní frekvenci a době trvání depozice. Wolframový terč byl reaktivně bombardován v atmosféře Ar + O2 při konstantním tlaku plynu p = 2,18 Pa. Část vrstev byla vyžíhána (450 °C). Krystalografická struktura připravených vrstev byla zjišťována Ramanovskou spektroskopií a RTG difrakcí. Morfologie vrstev byla sledována s využitím skenovací elektronové mikroskopie. Fotoelektrochemické experimenty byly prováděny v elektrochemické cele v tříelektrodové konfiguraci. Byl připraven systém tenkých vrstev oxid cíničitý dopovaný fluoridem (FTO transparentní vodivý substrát - komerčně dostupný) / tenká vrstva WO3. (cs)
|
| Title
| - Charakterizace WO3 tenkých vrstev připravených plasmatickým magnetronovým naprašováním
- Charakterizace WO3 tenkých vrstev připravených plasmatickým magnetronovým naprašováním (cs)
- Preparetion of WO3 thin films by pulsed plasma and their characterizition (en)
|
| skos:prefLabel
| - Charakterizace WO3 tenkých vrstev připravených plasmatickým magnetronovým naprašováním
- Charakterizace WO3 tenkých vrstev připravených plasmatickým magnetronovým naprašováním (cs)
- Preparetion of WO3 thin films by pulsed plasma and their characterizition (en)
|
| skos:notation
| - RIV/60461373:22310/14:43898381!RIV15-GA0-22310___
|
| http://linked.open...avai/riv/aktivita
| |
| http://linked.open...avai/riv/aktivity
| |
| http://linked.open...vai/riv/dodaniDat
| |
| http://linked.open...aciTvurceVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/druhVysledku
| |
| http://linked.open...iv/duvernostUdaju
| |
| http://linked.open...titaPredkladatele
| |
| http://linked.open...dnocenehoVysledku
| |
| http://linked.open...ai/riv/idVysledku
| - RIV/60461373:22310/14:43898381
|
| http://linked.open...riv/jazykVysledku
| |
| http://linked.open.../riv/klicovaSlova
| - photoelectrochemistry; pulsed plasma; thin film; WO3 (en)
|
| http://linked.open.../riv/klicoveSlovo
| |
| http://linked.open...ontrolniKodProRIV
| |
| http://linked.open...v/mistoKonaniAkce
| |
| http://linked.open...i/riv/mistoVydani
| |
| http://linked.open...i/riv/nazevZdroje
| - 4. ročník konference Moderní TRENDY v anorganických technologiích 2014
|
| http://linked.open...in/vavai/riv/obor
| |
| http://linked.open...ichTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...cetTvurcuVysledku
| |
| http://linked.open...vavai/riv/projekt
| |
| http://linked.open...UplatneniVysledku
| |
| http://linked.open...iv/tvurceVysledku
| - Kment, Štěpán
- Krýsa, Josef
- Hubička, Zdeněk
- Brunclíková, Michaela
|
| http://linked.open...vavai/riv/typAkce
| |
| http://linked.open.../riv/zahajeniAkce
| |
| number of pages
| |
| http://purl.org/ne...btex#hasPublisher
| - Vysoká škola chemicko-technologická v Praze
|
| https://schema.org/isbn
| |
| http://localhost/t...ganizacniJednotka
| |
![[RDF Data]](/fct/images/sw-rdf-blue.png)
![[cxml]](/fct/images/cxml_doc.png)
![[csv]](/fct/images/csv_doc.png)
![[text]](/fct/images/ntriples_doc.png)
![[turtle]](/fct/images/n3turtle_doc.png)
![[ld+json]](/fct/images/jsonld_doc.png)
![[rdf+json]](/fct/images/json_doc.png)
![[rdf+xml]](/fct/images/xml_doc.png)
![[atom+xml]](/fct/images/atom_doc.png)
![[html]](/fct/images/html_doc.png)